近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
1813 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34782 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機驅(qū)動及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001278 該器件耐受負(fù)瞬態(tài)電壓可達-100 V，支持重復(fù)700納秒寬脈沖，實現(xiàn)出色的耐用性和可靠運行。
2020-12-04 13:36:15876 測試1200V輸入時，加十多分鐘后就炸機了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術(shù)優(yōu)勢：通過優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業(yè)級和汽車級可靠性
2023-10-16 11:00:14
等級，從而提升變流器的功率等級?？紤]到前者功率密度相對較低，從性價比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
，如圖6所示，優(yōu)化的組裝技術(shù)顯著改善了功率循環(huán)（PC）周期。這至少能確保在工作結(jié)溫增大的情況下，輸出電流增大，但功率器件壽命不變。 圖6：1200V標(biāo)準(zhǔn)模塊的功率循環(huán)（PC）可靠性圖和搭載IGBT
2018-12-07 10:23:42
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
SDB—IGBT特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù)，在IC生產(chǎn)線
2012-03-19 15:16:42
大家好，我畢設(shè)遇到一個問題想問一下大家：用HCPL3120驅(qū)動IGBT，但是手冊上面說只能驅(qū)動1200V/100A的IGBT，我不明白為什么用電壓驅(qū)動IGBT，怎么還與IGBT電流有關(guān)，我現(xiàn)在的IGBT要260A電壓1100V，用什么芯片能驅(qū)動？
2013-03-22 15:19:08
無刷直流電機的三相全橋逆變開關(guān)管IGBT的驅(qū)動芯片有及推薦的驅(qū)動電路
2016-12-03 15:41:23
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
：4.8mm腳間距：5.45mm 25N120描述：25N120使用專有的溝槽設(shè)計和先進的NPT技術(shù)，1200V NPT IGBT提供卓越的傳導(dǎo)和開關(guān)性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。25N120該器件非常適合諧振或軟開關(guān)應(yīng)用如感應(yīng)加熱、微波爐等。
2022-01-04 17:03:28
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
二極管該模塊采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)芯片［1、2］：IGBT4和Emitter controlled 4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供
2018-12-03 13:49:12
RD-354，參考設(shè)計使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設(shè)計使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設(shè)計支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計
2020-07-18 12:46:31
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
ZNH-IR04工業(yè)機器人綜合應(yīng)用實訓(xùn)平臺一、產(chǎn)品概述ZNH-IR04工業(yè)機器人綜合應(yīng)用實訓(xùn)平臺由ABB IRB 1200工業(yè)機器人（可選）、主機架、多功能末端執(zhí)行器，以及控制模塊、上料模塊、裝配
2021-07-01 11:14:47
ZNL-IR03工業(yè)機器人綜合實訓(xùn)平臺是什么？ZNL-IR03工業(yè)機器人綜合實訓(xùn)平臺有哪些特點？ZNL-IR03工業(yè)機器人綜合實訓(xùn)平臺有哪些技術(shù)參數(shù)？
2021-08-16 07:16:23
我想把nvidia tesla m40卡安裝到hp proliant dl380p gen8 p70服務(wù)器上。它不工作，在DMESG日志中發(fā)現(xiàn)以下錯誤。[959.113417] NVRM：系統(tǒng)
2018-09-12 15:57:03
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊）中的 ISO5852S 進行性能評估。評估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 檢測的短路保護、軟關(guān)斷、在不同逆變器 dv
2018-12-27 11:41:40
目前國內(nèi)絕大多數(shù)IGBT功率模塊/MOSFET功率模塊廠家灌封采用傳統(tǒng)的硅膠灌封方式。隨著國內(nèi)客戶在新能源車用和電網(wǎng)電力風(fēng)電方面（1200V以上領(lǐng)域）對IGBT模塊使用的要求越來越高；采用硅膠灌
2022-02-20 15:29:36
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對焊機產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
Transistor：JFET）效應(yīng)。以Trench + Field-Stop技術(shù)命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機、飛兆半導(dǎo)體和IR等公司的新型IGBT產(chǎn)品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
現(xiàn)有國產(chǎn)IGBT免費申請送樣，規(guī)格1200V/25A，試用后只需提供試用報告即可。有需要的請與我聯(lián)系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
PZT分子的模型相比之下，F(xiàn)RAM將數(shù)據(jù)按分子極化狀態(tài)存儲。由于該過程為非破壞性，因此FRAM具有幾乎無限期的保留性與耐用性。對必須在整個設(shè)備使用壽命期間執(zhí)行20,000至40,000次交易的移動支付
2014-09-01 17:44:09
通特性?！ D2.對于不同的ROUTREF值，使用恒流源驅(qū)動器BM60059和1200V IGBT在空載時測量柵極電流和柵極電壓。 圖2顯示了三種不同R的柵極電流和柵極電壓波形奧特雷夫
2023-02-21 16:36:47
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
焊接后的晶振耐用性和靈活性為什么沒預(yù)期好?松季電子解答如下： 首先需經(jīng)檢查，進行原因分析：元器件自身質(zhì)量良好，其所在電路也一切正常，所以只能是焊接加工過程有問題，仔細(xì)觀察后發(fā)現(xiàn)受損晶體管
2014-03-17 15:15:06
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅(qū)動板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設(shè)計時為其提供支持。評估驅(qū)動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動器，其中兩個1ED020I12-F驅(qū)動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
第一部工業(yè)以太網(wǎng)解決方案的優(yōu)勢和作用目前，世界各地的制造工廠都依賴以太網(wǎng)解決方案來滿足工業(yè)應(yīng)用對實時性能和耐用性的要求。與傳統(tǒng)現(xiàn)場總線相比，以太網(wǎng)能提供更快的速率，能更好地處理大批量數(shù)據(jù)，最終還能
2019-07-18 07:40:03
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
IR全新堅固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出用于工業(yè)電機驅(qū)動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動驅(qū)動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機驅(qū)動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061470 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應(yīng)用
2011-04-12 09:47:051054 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管
2011-09-07 17:59:471386 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱
2011-09-28 09:08:05916 國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術(shù)平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越的性能。
2012-11-27 09:17:331054 飛兆半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的高性能電源和移動半導(dǎo)體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo)，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設(shè)計中實現(xiàn)更好的效率和可靠性。
2013-12-05 14:49:571099 驅(qū)動IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:357 中國，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運動（PCIM）展的開幕。
2017-05-26 14:43:591111 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08356 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有三個獨立的高端和低端參考輸出通道，用于3相應(yīng)用。專有的HVIC技術(shù)可實現(xiàn)堅固耐用的單片結(jié)構(gòu)
2018-05-31 13:00:0058 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計，可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
一加6已經(jīng)在海外正式發(fā)布，國行版發(fā)布會正在進行中，現(xiàn)在YouTube頻道JerryRigEverything已經(jīng)發(fā)布了該機的耐用性測試，它能幸存下來嗎？
2019-04-04 10:15:291975 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 隨著市場對SiC技術(shù)的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
2019-05-17 08:51:43795 據(jù)外媒報道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:022084 。IR-HiRel的解決方案在正向和阻塞狀態(tài)下具有非常低的功耗，只需要較低的驅(qū)動功率，并且具有較高的效率。IGBT可承受高達6.5 kV的電壓，并在2 kHz至50 kHz的開關(guān)頻率下工作。 由于廣泛的技術(shù)產(chǎn)品組合，工業(yè)和功率控制IGBT設(shè)計具有優(yōu)異的電流能力和更高的脈沖負(fù)載能力，以實現(xiàn)超低
2021-11-11 18:05:20886 是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機、工業(yè)縫紉機、伺服馬達等等領(lǐng)域。
2022-07-14 09:27:501839 
是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。
2022-07-28 09:27:241022 
Nytro XF1440 2.5 英寸和 Nytro XM1440 M.2 NVMe 固態(tài)硬盤面向具有高可靠性和耐用性的企業(yè)和云應(yīng)用。它們具有 PCIe Gen 3 ×4 接口。
2022-08-29 10:24:24728 當(dāng)?shù)貢r間11月15-17日，美國夏威夷，高通將舉辦一年一度的驍龍技術(shù)峰會。按照慣例，驍龍8 Gen2將會正式登場。 這幾年，驍龍旗艦平臺的升級力度有些疲軟，加之功耗發(fā)熱問題，被很多網(wǎng)友斥為“擠牙膏
2022-10-10 18:23:405620 新技術(shù)星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015 
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對于汽車應(yīng)用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。
2023-02-09 09:36:50206 
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:422 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:09749 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 ) 是基于Magnachip尖端的場截止溝槽技術(shù)，可提供10μs的最短短路耐受時間。這種卓越的耐用性使PTC加熱器能夠在過流情況下免受永久性故障的影響。 此外，TO-247封裝的厚大散熱器使這些新型IGBT具有出
2023-09-19 16:04:38306 彈簧扭轉(zhuǎn)測試儀如何測量彈性與耐用性？|深圳磐石測控儀器
2023-09-26 09:34:121093 
本文介紹了針對電機驅(qū)動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計，其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50235 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59347 博士和韓國化學(xué)工業(yè)大學(xué)的Jong-hyeop Baek博士組成的團隊韓國光子學(xué)與技術(shù)研究所的光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部門開發(fā)出技術(shù)來克服超細(xì) Micro LED 光效率和耐用性的挑戰(zhàn)。
2024-03-08 17:38:40549 
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