國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT,適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用,包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:201085 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19999 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出在連接信息設(shè)備與周邊設(shè)備的USB Type-C連接器*1)中實現(xiàn)“USB Power Delivery(以下稱“USBPD”)”的供受電控制器IC“BM92TxxMWV系列”。
2015-09-17 15:54:041453 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出耐壓高達(dá)80V的MOSFET內(nèi)置型DC/DC轉(zhuǎn)換器 “BD9G341AEFJ”。
2015-10-28 14:09:032171 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出高耐壓風(fēng)扇電機驅(qū)動器“BM620xFS 系列”,用于實現(xiàn)未來在全球市場擁有巨大需求的家用空調(diào)等家電產(chǎn)品的變頻化。
2015-12-10 09:44:471221 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:467742 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產(chǎn)品陣容更加豐富。
2018-09-19 08:32:005110 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內(nèi)的動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng),開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:101100 ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC,在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:48961 有助于提高空調(diào)、電動汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對策做出貢獻(xiàn) ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向在空調(diào)和電動汽車充電樁等需要大功率的工業(yè)設(shè)備和消費電子設(shè)備,開發(fā)出實現(xiàn)
2022-06-27 09:45:401215 ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
、設(shè)計和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀參考?! ”緯诮榻BIGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢,全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出
2011-11-25 15:46:48
在高壓600V,額定電流10A的壓縮機電機控制中,IGBT經(jīng)常燒壞,主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
電壓(600V、1200V、1700V)均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級??紤]到過載,電網(wǎng)波動,開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
的交疊損耗一致,導(dǎo)通損耗一致。 特性二:由于一般情況下IGBT的規(guī)格書給出是一個額定電流的能量損耗,例如600V/600A條件下損耗為Eon和Eoff,但是由于實際工作點在700V,一般默認(rèn)“電壓
2023-02-24 16:47:34
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
半導(dǎo)體提供。 請注意,BJT的體區(qū)電阻和增益是環(huán)境溫度的函數(shù),器件在高溫下更容易發(fā)生閂鎖。 智能功率模塊 (IPM) 的基本概念 多年來,IGBT制造商改進(jìn)了器件物理特性,以實現(xiàn)更好的功率開關(guān),這些
2023-02-24 15:29:54
高溫下,此功能增加了IGBT的電流驅(qū)動并降低了導(dǎo)通損耗;此外,IGBT溫度在芯片上檢測,以便在最佳時序改變驅(qū)動電流。第7代IPM中使用的驅(qū)動電流功能提高了開關(guān)性能,降低了導(dǎo)通損耗,如下圖所示:與沒有
2023-02-22 17:01:26
相結(jié)合,可實現(xiàn)電機設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化。推薦產(chǎn)品:BM6202FS-E2;ROHM其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性參數(shù):輸出MOSFET電壓:600V驅(qū)動器輸出電流(DC):±1.5A(最大)驅(qū)動器輸出電流
2019-12-28 09:47:29
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
,也就是說將近5mA的電流
損耗在7805里了。有沒有
低損耗的電源芯片,可以最大限度的降
低損耗呢?哪位神哥給推薦一個?。?/div>
2019-10-25 03:59:57
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓,dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
IGBT 智能電源模塊? 電機控制連接器(32 引腳)與 ST MCU 板接口? 用試驗板和測試針進(jìn)行進(jìn)一步評估的通用概念? 極緊湊結(jié)構(gòu)說明STEVAL-IPM07F 是一種基于小型低損耗智能
2023-09-08 08:02:09
STEVAL-IPM08B 緊湊型電機驅(qū)動電源板基于 SLLIMM?(小型低損耗智能成型模塊)第 2 系列模塊(STGIB8CH60TS-L)。該產(chǎn)品為驅(qū)動大功率電機提供了一種經(jīng)濟實惠且易于
2023-09-13 08:05:58
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
`本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢,全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出實用性。全書共7章,分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
。目前,ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊,包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A~600
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
STEVAL-IPM10B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-01 14:23:46
STEVAL-IPM15B,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM15B是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-07-02 09:47:51
STEVAL-IPM10F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM10F是一款基于SLLIMM(小型低損耗智能模塊)第二系列模塊
2019-06-28 08:36:40
STEVAL-IPM05F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM05F是基于SLLIMM(小型低損耗智能模塑模塊)第二系列產(chǎn)品STGIF5CH60TS-L
2019-07-01 12:01:49
STEVAL-IPM07F,基于SLLIMM第二系列IGBT IPM的電機控制電源板。 STEVAL-IPM07F是一款緊湊型電機驅(qū)動電源板,基于小型低損耗智能模塊SLLIMM第二系列
2019-07-01 14:19:33
的電壓為 15 V;- IGBT導(dǎo)通損耗Eon的能量,IGBT關(guān)斷損耗Eoff的能量。測量條件:溫度25和150°C;集電極-發(fā)射極電壓600V;柵極-發(fā)射極電壓±15V;柵極電路中的電阻 2.2
2023-02-22 16:53:33
通特性?! D2.對于不同的ROUTREF值,使用恒流源驅(qū)動器BM60059和1200V IGBT在空載時測量柵極電流和柵極電壓。 圖2顯示了三種不同R的柵極電流和柵極電壓波形奧特雷夫
2023-02-21 16:36:47
導(dǎo)讀:日前,業(yè)內(nèi)高性能硅方案的領(lǐng)先供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體開發(fā)出7款高集成度的三相智能功率模塊(IPM),此7款IPM所具備的高集成度特性能夠在提升白家電控制電路能效的同時并降低噪聲?! “采赖?款
2018-09-27 15:30:00
1700V高耐壓,還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件,還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-05 10:01:25
了第二代600V的全新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品的ESD防護(hù)提升至2KV,開關(guān)損耗降低了30%,更加安全、耐用。電源管理類產(chǎn)品展柜前人潮涌動LED調(diào)光電源展示`
2016-03-17 10:42:05
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側(cè)600V降壓到300v,升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓,請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
<概要>全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時間(trr※1))的同時,提高設(shè)計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時間(trr※1))的同時,提高設(shè)計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
時間內(nèi)(由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒),該器件具備出類拔萃的開關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發(fā)出專用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計,以部署
2018-12-07 10:16:11
加深理解,最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?!緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術(shù)的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場終止技術(shù)的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:2788 低損耗超柔射同軸電纜AMR系列
應(yīng)用環(huán)境
特性分析
2010-09-12 16:46:590 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211331 IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC
美國國際整流器公司(IR)上市了+600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險企業(yè),因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421270 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532356 2015年5月19日,TDK株式會社(社長:上釜 健宏)開發(fā)出最適合作為NFC用線圈的支持低損耗大電流的積層電感器MLJ1608系列,并已從4月起開始量產(chǎn)。
2015-05-20 17:21:021361 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向停車場車輛管理系統(tǒng)的車輛檢測領(lǐng)域,開發(fā)出檢測地磁的MI傳感器*1“BM1422AGMV”。
2017-09-05 15:48:277894 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 場阻型IGBT(Field-Stop IGBT,F(xiàn)S-IGBT)是近年來出現(xiàn)的一類非常重要的IGBT結(jié)構(gòu),F(xiàn)S層能實現(xiàn)通態(tài)損耗與器件耐壓以及通態(tài)損耗與開關(guān)損耗之間的良好折中,因此FS型IGBT已經(jīng)
2019-12-19 17:59:0025 ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 羅姆(總部位于日本京都市)面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2021-12-21 15:52:07978 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030 ROHM面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC “ BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”。
2023-02-08 13:43:17406 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561 600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23456 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機型,該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05515 IGBT-IPM是一種集成電力模塊,它由一個IGBT(可控硅反激開關(guān))和一個IPM(智能功率模塊)組成。它可以用于控制電機、變頻器、變壓器等電力電子設(shè)備,以實現(xiàn)高效、精確的控制。
2023-02-20 15:30:251770 “ BM2P06xMF-Z系列 ”。 查看詳情 BM2P060MF-Z BM2P061MF-Z BM2P063MF-Z BM2P06xMF-Z系列是將ROHM的低損耗Super Junction
2023-04-04 12:40:05468 有助于配備小型電機的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計工時和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 :IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達(dá)1
2022-04-24 14:39:00533 同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 *1 ,開發(fā)出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB ” ( BM
2023-07-19 17:10:04253 【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】微碩開發(fā)出高Bs寬溫低損耗FP95B和高Bs低損耗FP91新材料,適用于電子變壓器、PFC、扼流圈和大功率電感等領(lǐng)域,目前已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 曾有光伏龍頭企業(yè)的工程師對記者憂慮地表
2023-07-31 11:53:41525 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)(2)
2023-12-05 10:26:20308 IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)(1)
2023-12-05 14:09:41332 IGBT IPM的優(yōu)點
2023-12-06 14:46:49228 第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”為例進(jìn)行介紹。 點擊下載 成功實現(xiàn)功率器件熱設(shè)計的4大步驟 IGBT IPM實例:封裝?? ? BM
2023-12-07 09:30:02263 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 有助于照明電源、電泵、電機等應(yīng)用的小型化和薄型化!產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關(guān)和超短反向恢復(fù)時間特點的5款新產(chǎn)品。 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3
2023-12-12 12:10:01222 IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性,其優(yōu)點可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個IGBT器件與驅(qū)動、保護(hù)等電路集成在一個模塊中,減少
2024-02-23 10:50:10202 近日ROHM開發(fā)出車載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur”的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器,
2024-03-06 13:50:21132 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.近日宣布成功開發(fā)出車載一次側(cè)LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)“BD9xxM5-C”。這款新型LDO采用了ROHM獨家的高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur
2024-03-12 10:46:39205
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