臺(tái)積電4月16日晚宣布，推出6納米（N6）制程技術(shù)，大幅強(qiáng)化7納米（N7）技術(shù)。據(jù)其日前宣布5納米已進(jìn)入試產(chǎn)，臺(tái)積電無疑越接近摩爾定律的極限。每隔一納米，都要在7、6、5納米制程一路通吃。值得注意的是，其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也在日前宣布完成5納米EUV工藝研發(fā)，并已送樣給客戶，雙雄競(jìng)爭(zhēng)不相上下。
2019-04-18 11:15:24
697 那么20納米的平面型晶體管還有市場(chǎng)價(jià)值么？這是一個(gè)很好的問題，就在此時(shí)，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:541989 
微處理器設(shè)計(jì)公司ARM與臺(tái)積電今天共同宣布，首個(gè)采用臺(tái)積電下下代16nm工藝制程FinFET技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Cortex-A57處理器為ARM旗下性能最高的處理器。
2013-04-03 09:05:051157 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 面對(duì)Altera采用英特爾（Intel）14納米三門極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢(shì)，賽靈思于日前發(fā)動(dòng)反擊，將攜手臺(tái)積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541063 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451236 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:041899 
賽靈思（Xilinx）營(yíng)收表現(xiàn)持續(xù)看漲。賽靈思攜手臺(tái)積電，先將28納米制程新產(chǎn)品效益極大化，而后將持續(xù)提高20納米及16納米FinFET制程比例，同時(shí)以FPGA、SoC及3D IC三大產(chǎn)品線創(chuàng)造5年以上的持續(xù)獲利表現(xiàn)。賽靈思將可利用與臺(tái)積電良好的合作關(guān)系，于先進(jìn)制程競(jìng)賽中穩(wěn)扎穩(wěn)打，獲得客戶青睞。
2013-10-22 09:08:011144 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來臺(tái)拜會(huì)聯(lián)發(fā)科，表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程，希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 與臺(tái)積電較勁，將10 奈米 FinFET 正式納入開發(fā)藍(lán)圖 、聯(lián)電攜 ARM，完成 14 奈米 FinFET 工藝測(cè)試。到底什么是FinFET？它的作用是什么？為什么讓這么多國(guó)際大廠趨之若騖呢？
2015-09-19 16:48:004522 
臺(tái)積電第三代16納米FinFET制程從第4季起，大量對(duì)客戶投石問路，這也是臺(tái)積電口中的低價(jià)版本，隨著攻耗和效能的改善，以及價(jià)格的修正，臺(tái)積電可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。
2015-10-16 07:47:03807 2016年除了蘋果（Apple）是臺(tái)積電16納米制程最重要客戶外，包括聯(lián)發(fā)科、海思及展訊均積極在臺(tái)積電導(dǎo)入16納米制程量產(chǎn)，大幅拉抬兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者在臺(tái)積電先進(jìn)制程投片比重，2016年臺(tái)積電16納米制程產(chǎn)能除了供應(yīng)蘋果產(chǎn)品需求，其他產(chǎn)能幾乎已被兩岸IC設(shè)計(jì)業(yè)者全包。
2016-02-26 08:10:42886 三星半導(dǎo)體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié)，包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能，以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代，包括14納米和7納米。過去我們的14納米是和三星電子（Samsung Electronics）合作，在7納米上我們選擇不同技術(shù)，加上收購(gòu)IBM資產(chǎn)后，我們的研發(fā)資源變廣，因此決定自己開發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:281478 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 在近日于美國(guó)舉行的年度國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星（Samsung）與臺(tái)積電（TSMC）針對(duì)7納米制程技術(shù)，分別提供了截然不同的觀點(diǎn)；兩家公司都是介紹SRAM技術(shù)進(jìn)展，而該技術(shù)通常都是新一代節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵推手。
2017-02-10 10:25:331071 
三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491516 12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 中芯國(guó)際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會(huì)議，梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言，代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531345 根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出，中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:468507 這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過
2024-02-22 14:46:18525 
；*** CryptoCell技術(shù)有助于強(qiáng)化安全SoC設(shè)計(jì)；采用ARM Cordio? radio IP的完整無線解決方案，支持802.15.4 和Bluetooth? 5；通過ARM mbed? Cloud，云服務(wù)能夠支持物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的安全管理；ARM Artisan? IoT POP IP針對(duì)臺(tái)積電40ULP工藝實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。
2019-10-23 08:21:13
，MediaTek 和德州儀器（TI）創(chuàng)建異構(gòu)系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)（HSA）基金會(huì)并成為創(chuàng)始成員ARM和TSMC合作開發(fā)FinFET器件工藝技術(shù)，將應(yīng)用于下一代64位ARM處理器ARM創(chuàng)建首個(gè)創(chuàng)建技術(shù)藍(lán)圖“
2021-07-02 07:58:02
ARM日前推出可驅(qū)動(dòng)新一代節(jié)能型微控制器(MCU)發(fā)展的超低功耗實(shí)體IP數(shù)據(jù)庫(kù)。ARM 0.18um超低功耗數(shù)據(jù)庫(kù)(uLL)具備ARM Cortex處理器系列的內(nèi)建電源管理優(yōu)勢(shì)，結(jié)合臺(tái)積電
2019-07-22 07:00:02
關(guān)于納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)看完你就懂了
2021-04-09 06:43:22
納米技術(shù)的在中國(guó)是一個(gè)新技術(shù)，中國(guó)能做的就一兩家。納米防水技術(shù)要有特殊的設(shè)備，都要自我研發(fā)，加納米材料，以及技術(shù)。應(yīng)用領(lǐng)域可滿足手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品，服飾，登山鞋等紡織品以及醫(yī)療領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品防水抗潮
2018-09-19 13:34:06
處理器號(hào)稱是“全球第一個(gè)AI汽車超級(jí)芯片”，將采用臺(tái)積電16nm FinFET+工藝制造，集成多達(dá)70億個(gè)晶體管，性能方面，Xavier預(yù)計(jì)可以達(dá)到30 DL TOPS，比現(xiàn)在的Drive PX 2平臺(tái)
2018-07-31 09:56:50
技術(shù)開發(fā)成功，同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí)，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
。 ??Nordic Semiconductor首席執(zhí)行官Svenn-ToreLarsen表示：“我們非常高興地發(fā)布蜂窩IoT產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，通過結(jié)合超低功耗無線血統(tǒng)和來自芬蘭獨(dú)特的蜂窩技術(shù)專長(zhǎng)，Nordic擁有強(qiáng)大
2016-07-17 17:31:34
內(nèi)建封裝（PoP）技術(shù)。 臺(tái)積電明年靠著16納米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器，不僅可以有效對(duì)抗三星及GlobalFoundries的14納米FinFET制程聯(lián)軍，還可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
技術(shù)實(shí)力成為該產(chǎn)品線的主力供應(yīng)商。 半導(dǎo)體業(yè)者指出，高通其實(shí)有意采取分散供應(yīng)商策略，希望找3家晶圓代工廠分食訂單，但臺(tái)積電打算以先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)全面卡位，牢牢抓住高通PMIC 5芯片絕大多數(shù)的訂單
2017-09-22 11:11:12
圓代工平臺(tái)的下一代FPGA計(jì)劃。研發(fā)代號(hào)為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來全新水平的性能，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長(zhǎng)的帶寬需求。英特爾和Arm在10納米制程合作方面取得
2017-09-22 11:08:53
騰訊云存儲(chǔ)，正在形成面向未來的藍(lán)圖。在5月10日騰訊云存儲(chǔ)產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首款十微秒級(jí)的極速型云硬盤、業(yè)界首款突破百GB 吞吐的文件存儲(chǔ)、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
有機(jī)會(huì)“獨(dú)吞”A7代工訂單?！ ∨_(tái)積電作為全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造公司，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)先，在業(yè)界可謂屈指可數(shù)。臺(tái)積電積極開發(fā)20納米制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先MAX3232EUE+T優(yōu)勢(shì)下，未來1
2012-09-27 16:48:11
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱，蘋果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定。 據(jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長(zhǎng)。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約
2021-07-19 15:09:42
納米制程功耗低性能強(qiáng)國(guó)民做安全芯片起家，自帶多種加密算法安全性高與臺(tái)積電簽訂多份采購(gòu)訂單，供貨較為穩(wěn)定MCU產(chǎn)品已得到多家行業(yè)龍頭客戶認(rèn)可并導(dǎo)入（華為、大疆、寧德時(shí)代）寬產(chǎn)品線、覆蓋32位MCU從低端到高端的絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景國(guó)民技術(shù)MCU表示Pin數(shù)與flash容量的字母后綴與ST、GD對(duì)應(yīng)含義
2021-11-01 07:51:48
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
納米防水防潮技術(shù)，就是通過真空的狀態(tài)（我們自己做的設(shè)備幾百萬）在產(chǎn)品任何一個(gè)方位360°鍍上一層0-200納米厚的膜。問題一：肉眼看的到嗎回答：納米級(jí)別的，我們一般人的肉眼是看到的。問題二：那
2018-09-28 23:44:17
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問題來了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年，英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨，堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米，那么問題來了，這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的？下面芯易網(wǎng)就來簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
，所以只能以舊工藝（16nm制程）制造A10處理器。除此之外，臺(tái)積電還將獨(dú)家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據(jù)稱A11芯片將采用10納米FinFET工藝，最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
其中之一。在去年底發(fā)布的iPhone 6s和iPhone6s Plus中，該公司采用了三星供應(yīng)的14納米A9芯片，但同時(shí)也有部分機(jī)型采用了臺(tái)積電的16納米A9芯片?，F(xiàn)階段的臺(tái)積電仍然是全球最大的合同制
2016-01-25 09:38:11
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 什么是PoP
英文縮寫: PoP
中文譯名: 接入點(diǎn)
分 類: IP與多媒體
2010-02-23 09:41:371620 2012年4月18日，中國(guó)上?！?b class="flag-6" style="color: red">ARM今日宣布針對(duì)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：臺(tái)積電）的40與28納米制程，大幅拓展用于一系列ARM Cortex處理器的全新處理器優(yōu)化包（POP）解決
2012-04-19 08:41:16756 
昨日，半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電和ARM達(dá)成一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議，雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。ARM官方表示，雙方技術(shù)合作的目的，是讓ARM芯片可運(yùn)用于FinFET （鰭式場(chǎng)效晶體管
2012-07-24 10:41:12468 GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約，共同推出採(cǎi)用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術(shù)的 ARM 處理器設(shè)計(jì)最佳化的系統(tǒng)單晶片 （SoC） 解決方案。
2012-08-15 09:37:141115 臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試16nmFinFET制程
2012-10-23 09:18:54810 聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，
2012-11-05 09:17:53776 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
2012-12-20 08:43:111508 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:541769 美國(guó)加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺(tái)和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 表現(xiàn);全新ARM Cortex?-A73 能滿足最嚴(yán)苛的使用案例，并讓最佳能效與效率的狀態(tài)更加持久;產(chǎn)品已針對(duì)最新10納米FinFET工藝技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化.
2016-05-30 14:53:231247 ARM物理設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理Will Abbey表示： “設(shè)計(jì)主流移動(dòng)SoC時(shí)，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)都面臨著平衡實(shí)施優(yōu)化與成本效益之間的考量。我們與臺(tái)積電合作的最新物理IP能有效解決這一挑戰(zhàn)，為ARM合作伙伴提供
2016-06-14 16:16:211156 在12月3~7日于美國(guó)舉行的IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上，臺(tái)積電宣布以其最新版3D FinFET電晶體，可用于生產(chǎn)更新一代智能手機(jī)及其他移動(dòng)裝置處理器的首個(gè)全新7納米制程技術(shù)，借此正式加入
2016-12-09 09:53:54594 、Xilinx、Altera、NVIDIA及超微(AMD)等均提出最新產(chǎn)品及技術(shù)藍(lán)圖，大陸海思及展訊亦跟進(jìn)，展訊甚至計(jì)劃跳過20納米世代，直沖16納米技術(shù)，但臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者除了聯(lián)發(fā)科打算砸重金參賽外，多數(shù)臺(tái)系業(yè)者在這場(chǎng)制程競(jìng)賽選擇觀望。 臺(tái)系微控制器(MCU)芯片供應(yīng)商透露，在28納米制程世代已很少看到
2017-02-09 04:49:01189 臺(tái)積電于美國(guó)舉辦年度技術(shù)論壇時(shí)表示，預(yù)估今年10納米制程產(chǎn)量將達(dá)40萬片12寸晶圓，2019年之后，10納米及7納米的晶圓產(chǎn)量合計(jì)將達(dá)到120萬片，其中，10納米晶圓今年產(chǎn)能即可望超過16納米。
2017-03-22 01:00:38947 本文介紹設(shè)計(jì)人員如何采用針對(duì)FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。
2017-09-18 18:55:33
17 在28納米制程上，中芯也提出三階段的規(guī)劃藍(lán)圖。趙海軍指出，第一階段的polySion制程已經(jīng)量產(chǎn)，第二階段是第一代的HKMG制程（中芯稱為HKC制程）已經(jīng)在今年第2季開始產(chǎn)出，目標(biāo)是28納米突破10%營(yíng)收，而第三階段是第二代的HKC制程，預(yù)計(jì)在2018年底量產(chǎn)。
2017-11-17 14:10:431647 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119523 
power，ULP）與超低漏電（ultra-low leakage，ULL）的產(chǎn)品平臺(tái)。 Arm 指出，臺(tái)積電 22 納米 ULP / ULL 制程是針對(duì)主流行動(dòng)與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行最佳化設(shè)計(jì)。
2018-05-07 15:22:003292 FinFET制程產(chǎn)品的規(guī)劃上。需求涵蓋移動(dòng)運(yùn)算、網(wǎng)通、比特幣（Bitcoin）、FPGA等應(yīng)用領(lǐng)域，有接近10家大陸IC設(shè)計(jì)公司的16納米產(chǎn)品已經(jīng)開案，呈現(xiàn)百花齊放的態(tài)勢(shì)。
2018-05-15 11:52:00869 韓國(guó)三星為了多元化營(yíng)收來源，這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”，FinFET制程惹上了麻煩。根據(jù)
2018-06-20 14:19:002262 雖然2018年包括臺(tái)積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺(tái)積電，還在首代的7納米（LPP）制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過，臺(tái)積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外
2018-07-06 15:01:003697 
中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523382 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003390 芯片設(shè)計(jì)IP授權(quán)業(yè)者安謀(ARM)破天荒公布未來2年CPU IP產(chǎn)品藍(lán)圖，包括鎖定5G隨時(shí)連網(wǎng)行動(dòng)裝置與筆記本電腦(NB)產(chǎn)品CPU計(jì)劃，安謀公開宣示產(chǎn)品藍(lán)圖，企圖趁著英特爾(Intel)工藝轉(zhuǎn)換困頓之際，爭(zhēng)取來自NB業(yè)者對(duì)于ARM架構(gòu)處理器的青睞。
2018-08-21 09:57:292824 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 全球第二大半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯宣布，將在7納米FinFET先進(jìn)制程發(fā)展無限期休兵。聯(lián)電之后半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程競(jìng)逐又少一家，外界擔(dān)憂將對(duì)全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造成什么影響，集邦咨詢（TrendForce）針對(duì)幾個(gè)面向進(jìn)行分析。
2018-08-31 15:12:003490 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042 奈米 (nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型
2018-09-25 09:24:02279 先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜，不過格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì)，格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場(chǎng)唯一方向，當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場(chǎng)。
2018-09-27 16:14:004321 三個(gè)月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目，業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí)，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來的路又將走向何方？這是業(yè)界關(guān)心的問題。
2018-12-03 14:30:562838 關(guān)鍵詞：數(shù)字電視 , 聯(lián)詠 Arm宣布基于臺(tái)積公司22納米ULP技術(shù)的Arm POP IP受聯(lián)詠科技(Novatek)采用，結(jié)合Arm big.LITTLE架構(gòu)的核心優(yōu)勢(shì)，為數(shù)字電視市場(chǎng)的芯片發(fā)展
2019-03-29 14:17:01152 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 就在16日一早，韓國(guó)晶圓代工廠三星宣布發(fā)展完成 5 納米制程，并且推出 6 納米制程，并準(zhǔn)備量產(chǎn) 7 納米制程的同時(shí)，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也在傍晚宣布，推出 6 納米 （N6） 制程技術(shù)，除大幅強(qiáng)化
2019-04-17 16:42:502440 新思宣布，其用于臺(tái)積電7納米制程技術(shù)的DesignWare邏輯庫(kù)、嵌入式存儲(chǔ)器、界面和類比IP已獲得超過250個(gè)設(shè)計(jì)的選用（design wins），目前已經(jīng)有近30家半導(dǎo)體廠商選擇了新思7納米
2019-05-14 16:25:272862 在先進(jìn)制程的發(fā)展上，臺(tái)積電與三星一直有著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。雖然，臺(tái)積電已經(jīng)宣布將在 2020 年正式量產(chǎn) 5 納米制程。不過，三星也不甘示弱，預(yù)計(jì)透過新技術(shù)的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的產(chǎn)品
2019-05-15 16:38:323270 格芯指出，新開發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測(cè)試芯片，是采用格芯的12納米FinFET制程所制造，采用3D的ARM網(wǎng)狀互連技術(shù)，允許資料更直接的傳輸?shù)狡渌麅?nèi)核，極大化的降低延遲性。而這樣的架構(gòu)，這可以降低資料中心、邊緣運(yùn)算以及高端消費(fèi)者應(yīng)用程式的延遲，并且提升數(shù)據(jù)的傳輸速度。
2019-08-12 16:36:542755 臺(tái)積電宣布，其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺(tái)積電成功的7納米制程之上，也為明年首季試產(chǎn)6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。
2019-10-08 16:11:372955 三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭(zhēng)，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來帶來什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡(jiǎn)單的說明。
2019-10-14 10:38:5113759 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 索尼已公告PlayStation 5采用超微客制化的8核心Zen 2架構(gòu)CPU，運(yùn)作時(shí)脈最高3.5GHz，并采用超微客制化RDNA 2架構(gòu)GPU，可硬體支援光線追蹤技術(shù)，運(yùn)作時(shí)脈上看2.23GHz，凈點(diǎn)運(yùn)算速度來到10.2 TFLPOS。 CPU及GPU均采用臺(tái)積電7納米制程投片。
2020-09-21 17:59:081930 10月16日上午，華米科技以“輕彩隨行，把握健康”為主題發(fā)布了新品智能手表——Amazfit Pop，并通過官微發(fā)布了簡(jiǎn)短的產(chǎn)品介紹視頻。
2020-10-16 17:36:37813 發(fā)展3納米進(jìn)程順利并提升良率，與臺(tái)積電的搶單大戰(zhàn)也將隨之引爆。 對(duì)于相關(guān)報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電17日表示，不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。不過，在技術(shù)上，先前臺(tái)積電已設(shè)定的技術(shù)藍(lán)圖，目前計(jì)劃并未改變。 臺(tái)積電因先進(jìn)制程領(lǐng)先，獨(dú)攬?zhí)O果處理器代工大單，并囊括高
2020-11-26 14:44:261862 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證，其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí)，Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02381 
臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過 2 成。
2024-02-21 16:33:23320
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