一、RC電路充、放電過程仿真及時(shí)間常數(shù)的測(cè)定
1、按圖5-1給定參數(shù)繪制仿真電路圖,并用信號(hào)發(fā)生器輸出方波(幅值Amplitude=2V、偏移Offset=2V、頻率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%)作為激勵(lì)電壓。調(diào)整信號(hào)發(fā)生器和示波器,使之處于工作狀態(tài)。在示波器上讀出的時(shí)間常數(shù)τ值。
圖5-1? R=10KΩ、C=3300pF時(shí)的仿真波形
2、改變R、C的參數(shù),使R=10KΩ、C=0.01μF,如圖5-2所示。
圖5-2? R=10KΩ、C=0.01μF時(shí)的仿真波形
3、使用參數(shù)掃描分析(Parameter Sweep Analysis)同時(shí)觀察上述兩種情況
按圖5-3在【Simulate】仿真菜單中的選擇分析方法(Analysis),單擊參數(shù)掃描分析項(xiàng)(Parameter Sweep...),打開如圖5-4的對(duì)話框,在各選項(xiàng)中進(jìn)行設(shè)置后,按仿真按鈕,出現(xiàn)圖5-5所示的結(jié)果。
圖5-3 ?仿真菜單
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圖5-4? 參數(shù)掃描分析對(duì)話框
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圖5-5? RC電路充、放電過程的仿真
二、積分電路的仿真
按圖5-6繪制仿真電路圖,設(shè)定參數(shù),激勵(lì)信號(hào)為方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電容電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值,或減小信號(hào)發(fā)生器的頻率,定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。
圖5-6? 積分電路的仿真
三、微分電路的仿真
按圖5-7繪制仿真電路圖,設(shè)定合適的參數(shù)進(jìn)行仿真,激勵(lì)信號(hào)為方波 (Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)減小R或C值,定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。
圖5-7 ?微分電路的仿真
四、耦合電路的仿真
按圖5-8繪制仿真電路圖,設(shè)定合適的參數(shù)并進(jìn)行仿真,激勵(lì)信號(hào)為方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值,定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。
圖5-8 ?耦合電路的仿真
評(píng)論
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