朗迅科技承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項

近日，朗迅科技參與國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項 ——?GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評價會議，至此，該項目順利結(jié)題。

“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項——GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)由西安電子科技大學(xué)敖金平教授牽頭，總項目經(jīng)費5156萬元，其中中央財政經(jīng)費1489萬元。

該項目由西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、深圳大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、半導(dǎo)體研究所、中山大學(xué)、中科院納米技術(shù)與納米仿生研究所、香港科技大學(xué)深圳研究院、揚州揚杰電子、江蘇能華微電子、西安交通大學(xué)和杭州朗迅科技有限公司等13家大學(xué)、科研院所及高科技企業(yè)聯(lián)合申請，匯集了國內(nèi)GaN基電力電子器件研究的主要優(yōu)勢單位和骨干研究力量。

該項目包括四個子課題，其中，課題四“高頻高效率超小型GaN基功率開關(guān)電源模塊”參與單位為深圳大學(xué)、西安交通大學(xué)和杭州朗迅科技有限公司。該課題由深圳大學(xué)劉新科博士牽頭，朗迅科技組織包括徐振董事長在內(nèi)的15人科研團(tuán)隊參與研發(fā)，課題總投資1428萬元，其中中央財政經(jīng)費161萬元，朗迅科技自籌投入1200萬元。課題四主要研究GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻退化機(jī)理，發(fā)展相應(yīng)退化抑制技術(shù)；突破適用于10MHz電源模塊的新型高頻軟開關(guān)拓?fù)渑c控制技術(shù)，掌握10MHz DC-DC電源模塊的集成技術(shù)與動態(tài)電阻穩(wěn)定性控制技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)頻率10MHz、轉(zhuǎn)換效率>80%、輸出功率10W的超小型和高效率的開關(guān)電源模塊。實現(xiàn)基于GaN功率開關(guān)器件的DC-DC 功率模塊樣品：19-30V輸入電壓，5-12V輸出電壓，10MHz開關(guān)頻率大于80％的轉(zhuǎn)換效率，10W輸出功率。技術(shù)指標(biāo)獲得第三方（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）驗證。發(fā)表論文9篇；申請發(fā)明專利9項。

寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高臨界擊穿電場大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點。因此，基于GaN材料制造的電力電子器件具有通態(tài)電阻小開關(guān)速度快、耐壓高、耐高溫性能好等特點。以氮化鎵（GaN）基電力電子器件在高壓、高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度等應(yīng)用方面具有明顯優(yōu)勢，不僅可以滿足現(xiàn)代功率電子技術(shù)對高溫、高功率、高頻和抗輻射等惡劣條件的新要求，而且能顯著提升電源管理系統(tǒng)的效率和節(jié)省能源消耗，可實現(xiàn)系統(tǒng)小型化、輕量化，大大降低成本，在國家節(jié)能減排的戰(zhàn)略要求下具有十分重要的現(xiàn)實意義，助力于國家2030年碳達(dá)峰和2060年碳中和目標(biāo)的實現(xiàn)，滿足“提能效”和“降能耗”兩大要求。GaN電力電子器件在便攜式電子產(chǎn)品、無線通訊、新能源車輛、5G網(wǎng)絡(luò)、開關(guān)電源、適配器等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景，發(fā)展氮化鎵電力電子器件也是國家解決“卡脖子”問題的一個重要內(nèi)容！

在開關(guān)電源領(lǐng)域，如何使電源模塊小型化、高頻化、高效化是一個難題，GaN基電力電子器件的出現(xiàn)給電源模塊小型化提供了一個改進(jìn)方向，對于推動我國產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型與高技術(shù)競爭力提升具有重要的技術(shù)支撐作用。隨著4G/5G的應(yīng)用，移動通信實現(xiàn)了數(shù)量吞吐量的空間增長，功率放大器是移動終端中耗電最高的器件之一。

朗迅科技參與研發(fā)的超小型高效電源模塊適合用于4G/5G基站，可促進(jìn)基站電源小型化與智能化的發(fā)展。未來，朗迅科技將繼續(xù)在氮化鎵電力電子器件開展更深入的研究，強(qiáng)化“芯”實力！

審核編輯：符乾江