硅片切割是太陽能光伏電池制造工藝中的關(guān)鍵部分。該工藝用于處理單晶硅或者多晶硅的固體硅錠。線鋸首先把硅錠切成方塊，然后切成很薄的硅片。(圖1)這些硅片就是制造
2010-09-10 11:53:43
10339 萬股，占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過25%，募集50億元資金，用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項目等。 ? 高景太陽能是一家專注于光伏硅片的企業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等
2023-06-16 00:15:002393 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細工藝
2012-08-06 11:49:37
集成電路生產(chǎn)流程見下圖:[img][/img]整個流程分為六個部分：單晶硅片制造，IC設(shè)計，光罩制作，IC制造，IC測試和封裝。1.IC生產(chǎn)流程 [單晶硅片制造] 單晶硅片是用來制造IC的，單晶硅片
2019-01-02 16:28:35
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
臺面
刻蝕深度對埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對臺面
刻蝕深度對埋柵
型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結(jié)果表明，隨著臺面
刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
太陽能電池硅片的微觀形貌分布情況,及硅片的缺陷分析的理想儀器上海也鴻光學(xué)實驗有限公司021-60513687/20904209
2011-03-21 16:27:08
廠家求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
表面形貌分析方法主要是指利用掃描電鏡（SEM）對電弧侵蝕后的觸頭表面區(qū)域進行顯微結(jié)構(gòu)觀測，得到侵蝕區(qū)域的表面形貌圖像。通過對觸頭接觸表面 SEM 的觀察，可獲得觸頭表面的凹陷與凸起、微粒的沉積或
2018-03-07 08:55:14
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
高阻硅材料進口半導(dǎo)體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細參數(shù)來電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
基于垂直方向位移掃描的接觸式表面形貌儀
Contact Surface Contourgraph Based on Vertical Displacement Scan
2009-03-16 16:50:47
11 介紹一種新穎的雙針表面形貌測量系統(tǒng),它將光學(xué)位移傳感器和觸針位移傳感器巧妙地結(jié)合在一起,從而具有接觸和非接觸兩種測量手段。與單一測量模式的表面形貌測量儀器相比,
2009-07-10 15:43:174 QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機床是在硅單晶棒數(shù)控滾磨機上開發(fā)而成，單晶棒數(shù)控滾磨機床是我公司獨立開發(fā)研制的。該產(chǎn)品全部替代了日本滾磨機床，國內(nèi)很多企業(yè)需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:3742 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是單晶硅
可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:503428 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458935 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程詳細介紹
2009-11-04 09:17:371994
單晶硅太陽能電池
硅系列太陽能電池中，單晶硅大陽能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為
2009-11-07 16:18:322206 1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根據(jù)合同要求，驗收單晶硅電池片的功率及等級，例如125的A級，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成
2011-06-23 10:43:22149 156單晶硅不同方阻的功率對比 1、方阻越大，擴散方阻的偏差就越大，特別是在溫區(qū)四和五的位置(爐尾)比較明顯。 2、平均功率最高的為方阻50-55，主要體現(xiàn)在50-55的方阻制成的電池片開
2012-05-11 14:36:369 國內(nèi)領(lǐng)先的準單晶硅片生產(chǎn)商鳳凰光伏近日完成了新一代G6（Generation6）準單晶硅片的試生產(chǎn)，并且鳳凰光伏計劃在今年6月份德國INTERSOLAR展會期間開始全面推廣。
2012-05-21 14:08:47975 晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯。通過實驗發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:207828 
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 根據(jù)硅片厚度的不同，可分為晶體硅太陽能電池和薄膜硅太陽能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽能電池的基本原理：單晶硅太陽能電池，多晶硅太陽能電池，多晶硅薄膜太陽能電池，非晶硅薄膜太陽能電池，微晶硅薄膜太陽能電池。
2017-05-09 15:58:2622311 
單晶硅太陽電池鋁背場的歐姆接觸影響其輸出特性，采用新的工藝技術(shù)降低電池的串聯(lián)電阻勢在必行。隨著電池襯底厚度變得越來越薄，傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝使鋁背場難以繼續(xù)發(fā)揮其優(yōu)勢，探索硅片特征參量與鋁背場特性之間
2017-09-24 10:54:241 硅的材料性能 純凈的單晶硅具有灰色金屬光澤 ，硬而脆，是典型金 剛石結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo) 體 ，經(jīng)拋光后 表面光亮如鏡 。硅的熔 點為 1420℃，常溫下硅 的化學(xué)性 質(zhì)穩(wěn)定 ，升 溫時，很容易
2017-09-28 16:31:3713 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進行熱氧化處理時，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu
2017-09-28 16:35:3018 在單晶硅太陽電池的制備過程中 ，通常利用晶體硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在堿溶液中各向異性腐蝕特性 ，在表面形成類似于金字塔的絨面結(jié)構(gòu) ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光
2017-09-30 10:49:528 對NTD氫區(qū)熔單晶硅進行了不同溫度下等時退火，采用Hall 電學(xué)方法測量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術(shù)測量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照
2017-10-17 15:43:4211 加工流程; 單晶生長一切斷一外徑滾磨一平邊或V 型槽處理一切片一倒角一研磨一腐蝕一拋光一清洗一包裝 切斷： 目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設(shè)備： 內(nèi)園切割機或外園切割機 切斷用主要進口材料： 刀片
2017-10-20 14:38:3422 一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較 多晶硅太陽電池與單晶硅太陽電池相比有如下特點： （1）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見的多晶硅錠達到 250~270
2017-11-13 14:49:0721 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經(jīng)得到廣泛的運用。本文主要介紹了單晶硅的相關(guān)概念以及全球單晶硅生產(chǎn)商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3852310 寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司8英寸半導(dǎo)體硅片項目進入設(shè)備裝配期，8英寸半導(dǎo)體級單晶硅片將于6月份試生產(chǎn)。
2018-04-21 16:44:002095 1）在單晶硅片制造環(huán)節(jié)，單晶硅片首先通過化學(xué)腐蝕減薄，此時粗糙度在 10-20μm，在進行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟，可將粗糙度控制在幾十個 nm 以內(nèi)。一般來說，單晶硅片需要 2 次以上的拋光，表面才可以達到集成電路的要求。
2018-11-17 09:36:1718088 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體材料與集成電路基礎(chǔ)教程之單晶硅生長及硅片制備技術(shù)。
2018-11-19 08:00:0021 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。
2019-03-06 11:30:4422995 
單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無定形。晶體硅進一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31175542 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063230 單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。
2019-06-24 14:46:3118951 
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:447055 3月25日，隆基發(fā)布單晶硅片價格公示，單晶硅片P型M6 180μm厚度價格為3.41元，較上個月下降0.06元/片。這是隆基11個月以來166單晶硅片首次降價。
2020-03-26 11:02:411585 
不足10日，隆基相繼兩次下調(diào)單晶硅片價格。為行業(yè)傳遞了什么信號？
2020-04-18 10:07:01799 
光伏硅片：由于光電效應(yīng)，且單晶硅優(yōu)勢明顯，所以人們使用硅片完成太陽能到電能的轉(zhuǎn)換。在光伏領(lǐng)域使用的一般為圓角方形的單晶硅電池片。價格較便宜的電多晶硅片也有使用，但轉(zhuǎn)換效率較低。
2020-09-14 10:17:1646022 隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使結(jié)晶過程更加穩(wěn)定和實用有效，則需提高對工藝參數(shù)的控制精度，基于CCD攝像掃描識別技術(shù)的單晶硅等徑生長速度控制技術(shù)得到業(yè)界的重視。
2020-10-04 17:57:001804 
10月26日，隆基在官網(wǎng)發(fā)布單晶硅片價格，與隆基上月宣布的P型M10、P型M6以及P型158．75價格相比，這次價格沒有任何變動。 自8月初以來，單晶硅片價格維持三個月平穩(wěn)狀態(tài)。 8月25
2020-10-27 11:33:111723 電子發(fā)燒友為你提供區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板的方法免費下載
2020-11-24 18:30:4019 11月19日晚間，中環(huán)股份發(fā)布公告稱，中環(huán)股份子公司環(huán)歐國際與天合光能簽訂單晶硅片銷售框架合同，該公司在2021年度向天合光能銷售210尺寸單晶硅片（下稱“G12硅片”）合計數(shù)量不少于12億片，合同交易總額以最終成交金額為準。
2020-11-20 11:04:131791 近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件用硅單晶材料供應(yīng)商中晶科技的IPO首發(fā)申請，已獲證監(jiān)會法定程序核準，中晶科技及其承銷商與交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，不日將在深交所中小板正式掛牌上市。
2020-12-10 09:35:154204 在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588546 
近日，記者從云南省工業(yè)和信息化廳了解到，近年來云南著力推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化調(diào)整，產(chǎn)業(yè)集聚態(tài)勢逐步顯現(xiàn)，目前云南省已形成30萬噸單晶硅拉制和41吉瓦切片生產(chǎn)能力，今年前10個月已生產(chǎn)單晶硅12萬噸，云南已經(jīng)成為全球最大的綠色單晶硅光伏材料生產(chǎn)基地，并正在成為全球最大的綠色硅材加工一體化制造基地。
2020-12-23 17:02:352011 刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573376 單晶硅具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026179 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:07857 
半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:40724 
本文研究了濕化學(xué)清洗過程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均勻性。均勻性由光激發(fā)氟刻蝕初始階段的表面形貌決定。由于光激發(fā)氟蝕刻硅的速度比蝕刻氧化硅快40倍，它突出了硅表面上的硅原生氧化物，使它們
2021-12-30 15:14:12316 
引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構(gòu)化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧化鉀和異丙醇的水平，以消除鋸損傷，并獲得完全
2022-01-04 17:13:20764 
研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
實驗研究了預(yù)清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08501 在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率
2022-03-21 13:16:47573 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34560 
作者根據(jù)Wulff理論并與表面能數(shù)據(jù)制了每個NCM的晶粒形貌（圖4）。在該理論中，較小的表面能值往往對應(yīng)較大的晶粒暴露表面積。在所有Wulff形貌中，只有［001］、［104］和［101］暴露
2022-08-30 16:01:161739 半導(dǎo)體級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的晶體生長，生成單晶硅棒，這個過程稱為晶體生長。半導(dǎo)體硅片則是指由單晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上進行光刻、刻蝕、離子注入等后續(xù)加工。
2022-09-29 11:08:496749 單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。
2022-11-02 09:26:274255 半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，是電子產(chǎn)品的核心。在電子半導(dǎo)體器件制造中，單晶硅的氧濃度會嚴重影響單晶硅產(chǎn)品的性能，也是單晶硅生長過程中較難控制的環(huán)節(jié)。因此，對硅片承載區(qū)域氧氣含量
2023-03-29 11:48:39453 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472135 
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價格較貴。
2023-06-08 16:04:414916 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423981 萬股，占公司發(fā)行后總股本的比例不低于10%且不超過25%，募集50億元資金，用于宜賓25GW單晶硅棒及5GW單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項目等。 高景太陽能是一家專注于光伏硅片的企業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光伏單晶硅棒、單晶硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括182mm、210mm等大
2023-06-16 17:35:03794 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 根據(jù)太陽能電池種類的差異，不同太陽能電池的生產(chǎn)工藝也會有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽能電池的清洗制絨。單晶硅太陽能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應(yīng)用過程中是否具有超高的使用價值
2023-08-19 08:36:27811 
硅太陽能電池一般可分為單晶、多晶和非晶硅太陽能電池，其中單晶硅電池是當(dāng)前開發(fā)最快的一種太陽能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已經(jīng)定型，且廣泛用于空間和地面?！该滥芄夥股a(chǎn)的美能四探針電阻測試儀，可以對最大
2023-08-22 08:36:291280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單晶硅太陽電池的溫度和光強特性.pdf》資料免費下載
2023-11-02 11:16:370 晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺階高度、應(yīng)力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段
2023-11-03 09:21:580 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:061005 擴散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴散硅、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點和適用場景。下面將詳細介紹這三種壓力變送器的區(qū)別
2024-01-30 15:06:28577 共聚焦顯微鏡，專為光伏行業(yè)而生，能夠測量亞微米級的形貌起伏，可以手動亦可自動測量金字塔絨面的整體形狀，單個金字塔的形狀和高度也能高精度呈現(xiàn)，滿足客戶的測試需求。硅
2024-02-19 13:11:14120 力夫就來說說單晶硅和擴散硅的壓力變送器區(qū)別？ 一、傳感元件 單晶硅壓力變送器的傳感元件是單晶硅片，通過微機械加工技術(shù)制成。單晶硅片具有良好的機械性能和穩(wěn)定性，能夠承受高壓力和溫度變化，并且具有較高的精度和靈
2024-03-15 11:53:3958 
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