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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>揭秘走在國(guó)產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

揭秘走在國(guó)產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

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如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

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涂布模頭全面國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵在于“從有到優(yōu)”。
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干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

。常見(jiàn)的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)(NLD)、離子束刻蝕機(jī)(IBE),本文目的對(duì)各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析,以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:561106

國(guó)產(chǎn)數(shù)字隔離器實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代:關(guān)鍵點(diǎn)深度分析

本文將深入分析國(guó)產(chǎn)數(shù)字隔離器實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的關(guān)鍵點(diǎn),探討其在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和市場(chǎng)等方面的優(yōu)勢(shì),為推動(dòng)國(guó)產(chǎn)數(shù)字隔離器更好地替代進(jìn)口產(chǎn)品提供深入思考。
2024-01-19 16:40:02170

刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)
2024-01-19 16:02:42128

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

對(duì)DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過(guò)化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于,兩個(gè)射頻源:將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511

國(guó)產(chǎn)數(shù)字隔離器實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的阻礙與突破

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發(fā)揮全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),引領(lǐng)LED封測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化發(fā)展

國(guó)產(chǎn)替代”是近年來(lái)LED設(shè)備廠商最為重要的命題。
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國(guó)產(chǎn)工控主板:開(kāi)創(chuàng)替代發(fā)展新篇章

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揭秘什么是LDO噪聲

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2023-12-07 16:05:20236

北方華創(chuàng)公開(kāi)“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng),避免產(chǎn)生凹坑,并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕
2023-12-06 09:38:531536

RK3568J“麒麟”+“翼輝”國(guó)產(chǎn)系統(tǒng)正式發(fā)布,“鴻蒙”也正在路上!

設(shè)備等場(chǎng)景。 圖1 翼輝SylixOS簡(jiǎn)介 翼輝SylixOS是一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng),支持SMP多核實(shí)時(shí)調(diào)度,可運(yùn)行于多種CPU架構(gòu)目標(biāo)平臺(tái),具有卓越實(shí)時(shí)性和可靠性??蓮V泛應(yīng)用于強(qiáng)實(shí)時(shí)、高安全、高可靠要求的大型工業(yè)控制設(shè)備中,在功能、性能上實(shí)現(xiàn)了對(duì)國(guó)外同類操作系統(tǒng)的替代。 圖2
2023-11-30 16:08:37

半導(dǎo)體設(shè)備:自主可控勢(shì)在必行,國(guó)產(chǎn)替代大有可為

我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)三大驅(qū)動(dòng):長(zhǎng)期擴(kuò)產(chǎn)需求+國(guó)產(chǎn)化率提升+政策預(yù)期升溫 ? 芯片國(guó)產(chǎn)化率低,長(zhǎng)期擴(kuò)產(chǎn)需求廣闊。2021年中國(guó)大陸芯片自給率16.7%,國(guó)產(chǎn)線占6.6%,低國(guó)產(chǎn)化率是長(zhǎng)期擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力
2023-11-28 14:55:310

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

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2023-11-27 16:54:26256

濕法刻蝕液的種類與用途有哪些呢?濕法刻蝕用在哪些芯片制程中?

濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用,所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452

國(guó)產(chǎn)MEMS振蕩器可替代SiTime用于光纖激光切割機(jī)方案

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2023-11-24 10:18:47175

國(guó)產(chǎn)繞線電感可以替代國(guó)外品牌電感嗎

關(guān)于國(guó)產(chǎn)繞線電感是否可以替代國(guó)外品牌電感的問(wèn)題,已經(jīng)被很多人問(wèn)過(guò)了。近幾年隨著技術(shù)的快速發(fā)展,國(guó)產(chǎn)繞線電感在性能和品質(zhì)上已經(jīng)取得了很大的進(jìn)步。國(guó)產(chǎn)繞線電感是否可以替代國(guó)外品牌電感,本篇就從以下幾個(gè)
2023-11-20 09:39:58191

MEMS差分振蕩器替代SiTime用于光模塊提供性價(jià)比的方案

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工信部就干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)公開(kāi)征集意見(jiàn)

據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息,工信部公開(kāi)征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個(gè)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見(jiàn)。
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副邊反激控制器 5L0380R 有國(guó)產(chǎn)替代嗎?

客戶做小功率電源,目前有一款副邊反激控制器型號(hào) 5L0380R目前價(jià)格處于高位,客戶為了降本增效考慮國(guó)產(chǎn)替代,具體參數(shù)詳見(jiàn)附件,望各位大神不另賜教! *附件:ON-KA5L0380R.pdf
2023-10-23 17:21:16

中微愛(ài)芯攜手國(guó)芯思辰亮相慕尼黑華南電子展,助力芯片國(guó)產(chǎn)替代

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2023-10-13 10:17:07425

什么是刻蝕的選擇性?刻蝕選擇比怎么計(jì)算?受哪些因素的影響呢?

刻蝕(或蝕刻)是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是,在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí),通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕
2023-10-07 14:19:252073

干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制呢?

有過(guò)深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況:在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447

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在半導(dǎo)體制造中,刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕,這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì),也各有一定的局限性,理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305

芯片制造的刻蝕工藝科普

在半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:03996

北方華創(chuàng)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

9月17日,北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息,目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評(píng)價(jià)。
2023-09-20 10:09:49559

MCU國(guó)產(chǎn)替代選型合集來(lái)了,干貨不容錯(cuò)過(guò)!

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今天介紹的是可以兼容替代STM32F003系列的國(guó)產(chǎn)MCU DP32F003系列

STM32F003系列是32 位通用微控制器,最高工作頻率可達(dá) 48MHz,內(nèi)置高速存儲(chǔ)器,豐富的增強(qiáng)型 IO 端口和外設(shè)連接到總線。 今天要介紹的是可以兼容替代STM32F003系列的國(guó)產(chǎn)MCU
2023-09-14 11:07:38

國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可用來(lái)控制醫(yī)療設(shè)備和藥品

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2023-09-11 09:54:48917

鋰電產(chǎn)線激光頭國(guó)產(chǎn)滲透“加速跑”

近年來(lái),鋰電產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程整體加快。國(guó)產(chǎn)設(shè)備不止在國(guó)內(nèi)鋰電產(chǎn)線取得了滲透率超95%的成績(jī),走在前列設(shè)備企業(yè)更是憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品、技術(shù)實(shí)力服務(wù)全球鋰電市場(chǎng)。
2023-09-07 09:41:55650

顯示裝備國(guó)產(chǎn)替代訂單增長(zhǎng) 聯(lián)得裝備上半年凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)174.25%

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2023-08-25 10:51:58430

使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可以讓穿戴式設(shè)備更加省電

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薩科微:半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”大有可為

薩科微半導(dǎo)體副總經(jīng)理和俊駒說(shuō),半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”大有可為,薩科微slkor研發(fā)生產(chǎn)的IGBT管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的市場(chǎng)會(huì)越來(lái)越大!國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如薩科微的TVS二極管
2023-08-18 14:00:46240

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型 刻蝕的目的是什么?

PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜,降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷,提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855

替代AD7893,國(guó)產(chǎn)12位ADC SC1421可用于分布式控制系統(tǒng)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-17 09:55:31651

GAD7980(替代AD7980)在血壓檢測(cè)儀中的應(yīng)用方案

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-14 10:01:50785

隔膜設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代“升溫”

GGII數(shù)據(jù)顯示,我國(guó)濕法隔膜設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率接近30%,干法隔膜核心設(shè)備流延機(jī)國(guó)產(chǎn)化率接近50%。
2023-08-11 09:41:37608

英偉達(dá)a100有國(guó)產(chǎn)替代嗎?

英偉達(dá)a100有國(guó)產(chǎn)替代嗎? 目前尚未出現(xiàn)明確可替代英偉達(dá)A100的國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品,但中國(guó)國(guó)內(nèi)的企業(yè)正在積極推進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。例如,中國(guó)科技巨頭華為正在開(kāi)發(fā)自主研發(fā)的AI芯片,其已發(fā)布的昇騰910
2023-08-08 15:37:123468

推進(jìn)“交鑰匙”工程落地 隔膜設(shè)備國(guó)產(chǎn)化正當(dāng)時(shí)

現(xiàn)階段隔膜設(shè)備以進(jìn)口方式為主,設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代成為行業(yè)清晰的降本路徑。
2023-08-07 11:47:38801

替代AD7683,國(guó)產(chǎn)ADC GAD7683在雷達(dá)自動(dòng)檢測(cè)中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-07 11:45:21701

鋰電涂布模頭領(lǐng)域殺出黑馬 “國(guó)產(chǎn)替代”正當(dāng)時(shí)

隨著鋰電整體產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過(guò)剩“陣痛期”,降本增效成為企業(yè)的必然選擇,產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備及核心部件“國(guó)產(chǎn)替代”正當(dāng)時(shí)。
2023-08-03 10:35:26638

深度剖析刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的興起與顛覆性創(chuàng)新

在微電子制造中,刻蝕技術(shù)是制作集成電路和其他微型電子器件的關(guān)鍵步驟之一。通過(guò)刻蝕技術(shù),微電子行業(yè)能夠在硅晶片上創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)。本文旨在探討刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模以及行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
2023-08-02 10:01:08623

刻蝕分為哪兩種方式 刻蝕的目的和原理

刻蝕(Etching)的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程,通過(guò)移除材料表面的原子或分子,使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908

御芯微榮獲2023國(guó)產(chǎn)替代品大賽先鋒獎(jiǎng)

近日,備受矚目的2023國(guó)產(chǎn)替代品大賽圓滿落幕。御芯微以自主研發(fā)產(chǎn)品測(cè)溫傳感通信一體化芯片UC8288和模組UCM200系列斬獲“國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品先鋒獎(jiǎng)”。這是對(duì)御芯微不懈努力和持續(xù)創(chuàng)新的肯定,也是
2023-07-31 23:04:06442

國(guó)芯思辰| 國(guó)產(chǎn)鐵電PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于工業(yè)生產(chǎn)記錄儀

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-31 10:35:28494

比肩國(guó)際大廠,刻蝕設(shè)備會(huì)是率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的嗎?

的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中,都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備,比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī),刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī),以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556

揭秘***:如何選擇適合的國(guó)產(chǎn)工控主板

在工控領(lǐng)域,選擇合適的工控主板是確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和系統(tǒng)集成成功的關(guān)鍵一環(huán)。國(guó)產(chǎn)工控主板作為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展的重要一部分,其選購(gòu)要領(lǐng)需要綜合考慮多個(gè)因素,以滿足項(xiàng)目需求并保證產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。本文將介紹國(guó)產(chǎn)工控主板的選購(gòu)要領(lǐng),幫助用戶更好地選擇適合的主板。
2023-07-28 14:25:24485

國(guó)芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力光伏儲(chǔ)能

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-27 10:44:09565

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油機(jī)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-25 10:31:33590

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器?PB85RS2MC可替代富士通用于運(yùn)動(dòng)控制板

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-22 10:30:38410

首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機(jī)發(fā)布

Accura BE作為國(guó)產(chǎn)首臺(tái)12英寸晶邊刻蝕設(shè)備,其技術(shù)性能已達(dá)到業(yè)界主流水平。” Accura BE通過(guò)軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化和特有傳輸平臺(tái)的結(jié)合,可以提升客戶的產(chǎn)能。
2023-07-19 16:50:011140

北方華創(chuàng)發(fā)布首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機(jī)

據(jù)介紹,在器件制造過(guò)程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng),在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214

薩科微,半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”大有可為

薩科微半導(dǎo)體副總經(jīng)理和俊駒說(shuō),半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”大有可為,薩科微slkor研發(fā)生產(chǎn)的IGBT管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的市場(chǎng)會(huì)越來(lái)越大!國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如薩科微的TVS二極管
2023-07-06 14:16:42354

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕,因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng),從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

國(guó)芯思辰|替代AD9231BCPZ,國(guó)產(chǎn)12位SC1232用于數(shù)字射頻接收器

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-19 10:30:13734

半導(dǎo)體前端工藝:刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

在半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177

先鋒精科IPO獲受理!主打刻蝕設(shè)備關(guān)鍵零部件,中微公司為第一大客戶

刻蝕和薄膜沉積設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域關(guān)鍵零部件的精密制造專家,亦是國(guó)內(nèi)少數(shù)已量產(chǎn)供應(yīng)7nm及以下國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備關(guān)鍵零部件的供應(yīng)商。本次先鋒精科將公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)5059.50萬(wàn)股股票,募集7億元資金,用于靖江精密裝配零部件制造基地?cái)U(kuò)容升級(jí)項(xiàng)目等。 天眼查顯
2023-06-14 00:45:001555

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)8位MCU TM52F1363在電陶爐中的應(yīng)用方案

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-12 09:50:48969

重點(diǎn)闡述濕法刻蝕

光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕
2023-06-08 10:52:353320

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)Σ-Δ型ADC SC1644可替代AD7173用于電磁流量計(jì)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-05 11:19:13561

國(guó)芯思辰|可替代英飛凌、安森美,國(guó)產(chǎn)碳化硅用于新能源充電樁

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-05 09:26:54425

國(guó)芯思辰 |替代AD7606,國(guó)產(chǎn)16位ADC SC1467在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-02 10:28:12641

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可替代FM25V20A用于心電圖機(jī)中

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-05-31 14:17:38259

國(guó)芯思辰 |基于無(wú)線收發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)可使用GC0801,可替代AD9361

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-05-31 10:42:50400

國(guó)芯思辰 |替代AD811JRZ,國(guó)產(chǎn)SC7301用于視頻線路驅(qū)動(dòng)器

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-05-30 10:53:48497

金屬濕法刻蝕

但是,HCl為基體的刻蝕溶液,會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無(wú)氯基體,而且對(duì)Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe無(wú)傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461

STM32系列國(guó)產(chǎn)替代GD32芯片選型手冊(cè)

STM32系列國(guó)產(chǎn)替代GD32芯片選型手冊(cè)
2023-05-22 16:39:019

一文讀懂讀透 半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從25%提至50%。
2023-05-22 12:50:532158

國(guó)芯思辰 |SC1641模數(shù)轉(zhuǎn)換器替代AD7793在溫控設(shè)備中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-05-20 09:51:11362

國(guó)產(chǎn)GM8775C是MIPI轉(zhuǎn)雙路LVDS替代TC358775XBG

國(guó)產(chǎn)GM8775C是MIPI轉(zhuǎn)雙路LVDS替代TC358775XBG
2023-05-18 15:25:41752

連接器下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊

連接器是構(gòu)成系統(tǒng)連接的基礎(chǔ)元件,下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊連接器是構(gòu)成完整系統(tǒng)連接所必須的基礎(chǔ)元件。連接器(connector),即連接兩個(gè)有源器件的器件。它是電子系統(tǒng)設(shè)備之間電流或光信號(hào)
2023-05-05 16:47:33491

國(guó)產(chǎn)工控主板優(yōu)勢(shì)大揭秘

主板的性能特點(diǎn)。 國(guó)產(chǎn)工控主板主要應(yīng)用于儀表設(shè)備、自助終端設(shè)備等具有特定功能的設(shè)備上。這些設(shè)備需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,不需要經(jīng)常更新。國(guó)產(chǎn)工控主板有以下特點(diǎn): 1、安全的數(shù)據(jù)保護(hù) 國(guó)產(chǎn)主板搭載銀河麒麟國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng),這
2023-05-05 14:17:35493

國(guó)產(chǎn)替代新突破 中軟國(guó)際推出首款自研智聯(lián)硬件產(chǎn)品工業(yè)中控屏

為順應(yīng)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì),中軟國(guó)際日前基于自主國(guó)產(chǎn)軟硬一體平臺(tái)打造出公司首款自研智聯(lián)產(chǎn)品——工業(yè)中控屏,并正式對(duì)外發(fā)布。該產(chǎn)品可應(yīng)用在智慧工業(yè)、智慧能源、智能監(jiān)控、智慧港口、智慧消防、智慧物流、智慧服務(wù)類等行業(yè)領(lǐng)域,大型設(shè)備控制或者含有多類部件的生產(chǎn)工段控制
2023-04-28 11:11:22754

成都匯陽(yáng)投資關(guān)于四重邏輯共振,繼續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備投資機(jī)會(huì)!

來(lái)看 ,半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn) 化率仍處于低位 ,對(duì)于量/檢測(cè) 、涂膠顯影 、離子注入設(shè)備等 ,我們預(yù)估 2022 年國(guó)產(chǎn)化率仍低于 10%, 國(guó)產(chǎn)替代空間較大 。在技術(shù)層面上 , 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在薄膜沉積 、刻蝕 、量/檢測(cè) 、CMP、清洗等領(lǐng)域均已具備一定先進(jìn)制程設(shè)備技術(shù)
2023-04-17 13:07:06536

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922

國(guó)產(chǎn)替代:高磁導(dǎo)率電磁波抑制吸波材料

關(guān)鍵詞:EMC,EMI,抑磁吸波,高端國(guó)產(chǎn)替代材料導(dǎo)語(yǔ):隨著電子設(shè)備的性能和功能的提高,每個(gè)設(shè)備產(chǎn)生的熱量增加,有效地散發(fā),消散和冷卻熱量很重要。對(duì)于5G智能手機(jī)和AR/VR設(shè)備等高性能移動(dòng)
2023-04-13 15:09:09636

薩科微半導(dǎo)體:“國(guó)產(chǎn)替代”的首選!設(shè)計(jì)產(chǎn)品電控方案

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司銷售總監(jiān)丘輝林介紹,薩科微slkor近來(lái)發(fā)展迅速,是牢牢抓住電子元器件“國(guó)產(chǎn)替代”的歷史發(fā)展機(jī)遇,在目前國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體“缺芯少魂”的大背景下,具有獨(dú)立研發(fā)能力和技術(shù)儲(chǔ)備
2023-04-12 14:03:16372

國(guó)產(chǎn)電流傳感器的國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)工業(yè)化進(jìn)程的不斷加速,電流傳感器作為工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的重要組成部分,其國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)也越來(lái)越明顯。 首先,隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)的不斷進(jìn)步,國(guó)產(chǎn)電流傳感器的性能不斷提高,質(zhì)量不斷改善,成本不斷降低,從而
2023-04-12 11:22:271037

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

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