ITO薄膜在提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池效率方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，同時(shí)優(yōu)化ITO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能使太陽能電池的效率達(dá)到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數(shù)，兩者對(duì)ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20
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近日，美國知名數(shù)字標(biāo)牌解決方案供應(yīng)商Stratacache與半導(dǎo)體技術(shù)公司Lumiode達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)Micro LED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。Stratacache計(jì)劃將Lumiode的背板沉積技術(shù)集成到其即將完成的Micro LED生產(chǎn)線E4當(dāng)中。
2024-02-05 17:07:04583 碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 09:51:42216 真空電鍍是一種物理沉積現(xiàn)象。即在真空狀態(tài)下注入氬氣，氬氣撞擊靶材，靶材分離成分子被導(dǎo)電的貨品吸附形成一層均勻光滑的仿金屬表面層。
2024-01-24 11:06:08188 
為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，簡述了化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:20704 
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點(diǎn)就是工作環(huán)境的壓強(qiáng)，LPCVD的壓強(qiáng)通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強(qiáng)約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35166 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
通過化學(xué)鍍鎳沉積增強(qiáng)納米多孔硅光電陰極的光電化學(xué)性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關(guān)鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學(xué)行為。這些方法包括將Ni涂層應(yīng)用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
對(duì)其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應(yīng)用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導(dǎo)能力，適用于高功率應(yīng)用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適
2024-01-12 14:43:47424 的生產(chǎn)首先需要準(zhǔn)備好所需的原材料。氮化鎵是由高純度金屬鎵和氮?dú)馔ㄟ^化學(xué)氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制備而成。高純度金屬鎵用于制備Ga熱源，而氮?dú)鈩t用于形成氮化反應(yīng)。此外，還需要購買其他輔助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 。 氮化鎵主要有金屬有機(jī)化合物氣相外延法（MOVPE）、分子束外延法（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）等制備方法。其中，MOVPE是最常用的制備方法之一。該方法通常在高溫下進(jìn)行，通過金屬有機(jī)化合物鎵和氮?dú)夥磻?yīng)生成氮化鎵薄膜
2024-01-10 10:06:30195 同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。
2024-01-10 09:53:29567 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計(jì) PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112727 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實(shí)現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-20 16:58:23154 
京瓷株式會(huì)社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
沉積到PCB焊盤表面的一種工藝。這種方法通過在焊盤表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)并存，優(yōu)點(diǎn)是可焊性、平整度高，缺點(diǎn)是存儲(chǔ)要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實(shí)現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-11 17:31:18234 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉矶嗑Ч钖艠O的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740 半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
2023-11-27 16:48:42217 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的情況下，微結(jié)構(gòu)特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)，工藝良率超95%。 ? 相對(duì)于傳統(tǒng)硅光技術(shù)，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優(yōu)點(diǎn)。此外，氮化硅硅光芯片也是優(yōu)異的多材料異質(zhì)異構(gòu)平臺(tái)，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用更
2023-11-17 09:04:54654 氣態(tài)前驅(qū)體在晶圓上反應(yīng)，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。
2023-11-16 12:24:30548 
背景 András Deák博士的研究重點(diǎn)是了解分子如何相互作用并附著在納米顆粒表面背后的物理學(xué)。許多應(yīng)用依賴于以預(yù)定方式附著在納米顆粒表面的引入分子。然而，如果納米顆粒已經(jīng)有分子附著在其表面，則不
2023-11-15 10:33:52174 
中的應(yīng)用。 膠體量子點(diǎn)作為一種半導(dǎo)體納米晶，具有獨(dú)特的高表面活性以及量子限制效應(yīng)的物化特性，擁有室溫溶液處理的能力，更容易與硅基兼容。但隨著硅基板尺寸逐漸縮小，對(duì)敏感膜沉積的精度和工藝要求開始變高，目前常用于
2023-11-03 09:09:10767 
這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝，使用銅鍵合技術(shù)，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達(dá)175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 高效硅太陽能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
2023-11-01 17:05:58135 
氮化硅（Si3N4） 基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級(jí)電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用。
2023-10-23 12:27:13408 
在鈣鈦礦太陽能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53649 作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈兊牟牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點(diǎn)。
氮化
2023-10-07 16:21:18325 
經(jīng)過離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面，實(shí)現(xiàn)離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）雙束系統(tǒng)
2023-10-07 14:44:41393 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:36647 
，正逐步替代傳統(tǒng)表面處理工藝，下面來看各項(xiàng)技術(shù)對(duì)比：激光熔覆VS熱噴涂激光熔覆制備涂層組織致密、無氣孔，且涂層與基體為冶金結(jié)合方式，結(jié)合強(qiáng)度高。熱噴涂涂層沉積速率較高
2023-09-04 16:09:43295 
如果有人認(rèn)為化學(xué)鍍銅和其他金屬化系統(tǒng)深不可測(cè)，那么關(guān)于電鍍就更像是復(fù)雜的腦外科手術(shù)。
2023-08-29 09:39:161023 
熱點(diǎn)新聞 1、傳日本更可能實(shí)施對(duì)光刻/薄膜沉積設(shè)備的出口管制 據(jù)報(bào)道，隨著日本對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計(jì)23品類半導(dǎo)體
2023-08-28 16:45:011551 
1. 傳日本更可能實(shí)施對(duì)光刻/ 薄膜沉積設(shè)備的出口管制 ? 據(jù)報(bào)道，隨著日本對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計(jì)23品類半導(dǎo)體
2023-08-28 11:19:30579 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術(shù)于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GFETs）中的應(yīng)用。在ALD過程中進(jìn)行5秒最佳紫外照射，導(dǎo)致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
來源：天科合達(dá) 據(jù)天科合達(dá)官微消息，8月8日，北京天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工活動(dòng)在徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)成功舉辦。 （圖源：金龍湖發(fā)布） 據(jù)悉，江蘇天科合達(dá)二期
2023-08-10 16:45:49797 
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
2023-08-07 14:22:08837 
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487774 
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片
2023-07-05 00:39:29422 和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會(huì)通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
近日，泛林集團(tuán)推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得
2023-06-29 10:08:27650 韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 3D NAND 工藝通過堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實(shí)時(shí)過程
2023-06-21 10:09:13197 
檢測(cè)方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時(shí), 縮短了生產(chǎn)時(shí)間.
2023-06-21 10:03:30238 
各向異性的。選擇性低，因?yàn)槠鋵?duì)各個(gè)層沒有差異。氣體和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反應(yīng)產(chǎn)物不是氣態(tài)的，顆粒會(huì)沉積在晶片或室壁上。
2023-06-20 09:48:563989 
PDMS微流控芯片表面修飾方法主要有高能氧化技術(shù)、動(dòng)態(tài)修飾技術(shù)、本體修飾技術(shù)、溶膠- -凝膠技術(shù)、 層疊組裝修飾、化學(xué)氣相沉積、表面共價(jià)嫁接技術(shù)等。
2023-06-16 17:12:211673 請(qǐng)問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位啊？
2023-06-16 11:12:27
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212037 
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
通過測(cè)量晶片上的殘留物得知，晶片上已經(jīng)分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設(shè)有兩種不同的沉積機(jī)制：吸附和蒸發(fā)沉積。
2023-06-08 10:57:43220 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
電鍍是一種利用電化學(xué)性質(zhì)，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍?cè)恚涸诤杏兘饘俚柠}類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發(fā)靶材材料來產(chǎn)生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開發(fā)方面擁有 25 年以上的豐富經(jīng)驗(yàn)，是這一領(lǐng)域無可爭(zhēng)議的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者
2023-05-26 16:36:511749 上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:34501 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
工藝進(jìn)行基板表面金屬化，先是在真空條件下濺射鈦，然后再是銅顆粒，最后電鍍?cè)龊瘢又云胀╬cb工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線路的厚度。
2023-05-23 16:53:511333 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長的新動(dòng)能。
2023-05-17 17:08:41831 研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工藝是一種利用磁控濺射技術(shù)制備銅薄膜的方法。該工藝是將目標(biāo)材料為銅的銅靶放置在真空腔室中，通過磁控濺射技術(shù)使得銅靶表面產(chǎn)生等離子體，利用等離子體中的離子轟擊靶表面，將其濺射成細(xì)小顆粒并沉積在基底上形成銅薄膜的過程。
2023-05-11 17:38:18843 薄膜的質(zhì)量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無缺陷，無損傷，表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154 
新能源電動(dòng)汽車爆發(fā)式增長的勢(shì)頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，對(duì)提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍?cè)诨?b class="flag-6" style="color: red">表面的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級(jí)超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052439 
在下面的圖3中找到。
化學(xué)鎳步驟是一種自動(dòng)催化過程，包括在鈀催化的銅表面上沉積鎳。必須補(bǔ)充含有鎳離子的還原劑，以提供產(chǎn)生均勻涂層所需的適當(dāng)濃度，溫度和酸度。在浸金步驟中，金通過分子交換粘附在鍍鎳
2023-04-24 16:07:02
有人曾這樣形容磁控濺射技術(shù)——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）的一種，其原理是：用帶電粒子加速轟擊靶材表面，發(fā)生表面原子碰撞并產(chǎn)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并沉積在襯底材料上的過程。
2023-04-18 10:30:071766 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
光隔離器是一種只允許單向光通過的無源光器件，其主要特點(diǎn)是：正向插入損耗低，反向隔離度高，回波損耗高。目前已經(jīng)有多種片上光隔離方案，但這些方案大多依賴于磁光材料的集成或聲光或電光調(diào)制器的高頻調(diào)制。
2023-04-03 16:19:041633 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng)，氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
導(dǎo)熱填料其主要成份為納米氮化硅鎂、納米碳化硅、納米氮化鋁、納米氮化硼、高球形度氧化鋁、納米氮化硅（有規(guī)則取向結(jié)構(gòu)）等多種超高導(dǎo)熱填料的組合而成，根據(jù)每種材料的粒徑、形態(tài)，表面易潤濕性，摻雜分?jǐn)?shù)，自身
2023-03-29 10:11:55531 是ENIG。都是通過化學(xué)的方法在銅面上沉積一層鎳，然后在鎳層上再沉積一層金，所以表面看上去是金黃色。沉金的厚度一般是1u”和2u“。沉金的流程也是三個(gè)主要步驟：前處理—沉金—后處理。當(dāng)然沉金里面又分有水洗、除
2023-03-24 16:59:21
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