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標簽 > 功率器
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氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
2019年7月17日至20日,第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(APCSCRM2019)在北京世紀金源大飯店盛大召開。
近日,由華大半導體和復旦大學共建的上海碳化硅功率器件工程技術研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲、上海市科委、復旦大學和華大...
IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前,硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優(yōu)化性能提升效率,不過隨著工藝技術的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
優(yōu)化關鍵工藝參數(shù)提升功率器件引線鍵合的可靠性
歡迎了解 聶洪林 陳佳榮 任萬春 郭林 蔡少峰 李科 陳鳳甫 蒲俊德 (西南科技大學 四川立泰電子有限公司) 摘要: 探究了引線鍵合工藝的重要參數(shù)對功率...
來源:意法半導體 2023 年 1 月 16日,中國——意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK? SMIT 封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO ...
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