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PECVD工藝中RF射頻功率對μc-Si:H薄膜各項參數(shù)影響
HJT太陽能電池已經(jīng)在正、背表面實現(xiàn)了鈍化接觸,因此獲得了較高的開路電壓,明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴重的寄生吸...
氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層(Passivatio...
拓荊科技2023年業(yè)績預增,預計凈利潤6億至7.2億元,同比增長62%
業(yè)務收入增幅達52.44%-64.17%,得益于公司加大研發(fā)力度,攻克核心技術難題,在制程更新?lián)Q代中取得重大業(yè)績突破。數(shù)碼設備銷售額回升,PECVD設備...
盛美上海:Track設備預計年底與***對接 將打破當前市場一家獨大局面
從各產(chǎn)品線來看,盛美上海pecvd設備組正積極與客戶合作,目前在軟件和硬件的改善方面都取得了相當大的進展。該公司在pecvd裝置上追求差別化的技術路線,...
拓荊科技成立于2010年,是國內(nèi)唯一一家針對薄膜沉積領域?qū)崿F(xiàn)pecvd和sacvd產(chǎn)業(yè)化的公司,也是ald領域的國內(nèi)龍頭企業(yè)。公司目前已進入中芯國際、長...
國內(nèi)PECVD設備唯一產(chǎn)業(yè)化廠商 拓荊科技申請科創(chuàng)板IPO申請獲受理
7月12日,拓荊科技股份有限公司(簡稱“拓荊科技”)申請科創(chuàng)板上市已獲受理。根據(jù)招股書,拓荊科技擬募集資金10.00億元,計劃投資于高端半導體設備擴產(chǎn)項...
從156.75 mm到166 mm,大尺寸硅片已經(jīng)悄然進入市場,硅片尺寸增大在電池片制造、組件封裝等環(huán)節(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)成本節(jié)約,據(jù)了解M6電池片各制程的工藝時...
沈陽拓荊科技有限公司承擔的國家重大科技專項項目——90~65納米等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研制日前獲得成功
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