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標(biāo)簽 > PECVD
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氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層(Passivatio...
高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術(shù)方案?;瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層,成為...
PECVD工藝中RF射頻功率對(duì)μc-Si:H薄膜各項(xiàng)參數(shù)影響
HJT太陽能電池已經(jīng)在正、背表面實(shí)現(xiàn)了鈍化接觸,因此獲得了較高的開路電壓,明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴(yán)重的寄生吸...
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2009-12-18 標(biāo)簽:PECVD 997 0
國內(nèi)PECVD設(shè)備唯一產(chǎn)業(yè)化廠商 拓荊科技申請(qǐng)科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理
7月12日,拓荊科技股份有限公司(簡稱“拓荊科技”)申請(qǐng)科創(chuàng)板上市已獲受理。根據(jù)招股書,拓荊科技擬募集資金10.00億元,計(jì)劃投資于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)...
改造管式PECVD設(shè)備時(shí)經(jīng)常會(huì)遇到哪些問題
從156.75 mm到166 mm,大尺寸硅片已經(jīng)悄然進(jìn)入市場(chǎng),硅片尺寸增大在電池片制造、組件封裝等環(huán)節(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)成本節(jié)約,據(jù)了解M6電池片各制程的工藝時(shí)...
首臺(tái)國產(chǎn)12英寸PECVD設(shè)備誕生
沈陽拓荊科技有限公司承擔(dān)的國家重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目——90~65納米等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研制日前獲得成功
盛美上海進(jìn)軍PECVD市場(chǎng),支持邏輯和存儲(chǔ)芯片制造
來源:盛美半導(dǎo)體 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”),作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的領(lǐng)先設(shè)備供應(yīng)...
技術(shù)革新!菲沃泰PECVD技術(shù)直擊汽車行業(yè)痛點(diǎn)
2月21日,菲沃泰通過了德國TüV Rheinland認(rèn)證機(jī)構(gòu)關(guān)于IATF 16949:2016汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系的認(rèn)證和審核,并獲得證書。這標(biāo)志著菲...
盛美上海:Track設(shè)備預(yù)計(jì)年底與***對(duì)接 將打破當(dāng)前市場(chǎng)一家獨(dú)大局面
從各產(chǎn)品線來看,盛美上海pecvd設(shè)備組正積極與客戶合作,目前在軟件和硬件的改善方面都取得了相當(dāng)大的進(jìn)展。該公司在pecvd裝置上追求差別化的技術(shù)路線,...
拓荊科技2023年業(yè)績預(yù)增,預(yù)計(jì)凈利潤6億至7.2億元,同比增長62%
業(yè)務(wù)收入增幅達(dá)52.44%-64.17%,得益于公司加大研發(fā)力度,攻克核心技術(shù)難題,在制程更新?lián)Q代中取得重大業(yè)績突破。數(shù)碼設(shè)備銷售額回升,PECVD設(shè)備...
拓荊科技成立于2010年,是國內(nèi)唯一一家針對(duì)薄膜沉積領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)pecvd和sacvd產(chǎn)業(yè)化的公司,也是ald領(lǐng)域的國內(nèi)龍頭企業(yè)。公司目前已進(jìn)入中芯國際、長...
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