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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

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2019-12-30 15:57:393641

三星海力士4季度份額達67% 芯片價格上漲30%

三星電子和SK海力士在2012年第四季度繼續(xù)引領(lǐng)全球DRAM市場,它們兩家公司在該領(lǐng)域的市場份額之和達到67%。
2013-02-20 18:11:02792

三星/SK海力士將大規(guī)模投資研發(fā)

為突破半導(dǎo)體市場的不景氣,三星電子(Samsung Electronics)致力升級微細制程技術(shù);SK海力士SK Hynix)則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58641

存儲器市場漲水,SK海力士價格一路飆升35%,三星將增產(chǎn)?

據(jù)海外媒體報道,存儲器價格超夯,今年至今韓廠SK 海力士SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂觀,預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)?
2016-10-15 22:21:29831

不止三星海力士,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面面觀

 根據(jù)2016年第季度的統(tǒng)計,三星電子在DRAM存儲器領(lǐng)域已拿下半壁江山,達到驚人的50.2%,而另一家韓國大廠SK海力士則占了24.8%的市場份額。而在NAND FLASH這一塊,三星電子占全球市占率的36.6%,SK海力士則占了10.4%。
2016-12-29 10:09:073730

三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營利破256億美元

據(jù)海外媒體報道,由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。
2017-01-24 09:12:34739

三星SK海力士在DRAM生產(chǎn)導(dǎo)入EUV,美光不跟進

日前,據(jù)韓國媒體報道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù),以建立更高的技術(shù)壁壘。對此,美光(Micron)企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示,美光不打算跟進,目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452207

SK海力士正與博世洽談供應(yīng)汽車內(nèi)存

4月16日消息 據(jù)悉,SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司(Bosch)洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱,SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472566

三星SK海力士都已實現(xiàn),EUV DRAM 的壓力來到美光這邊?

。 ? 源:SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進展定義為:意義非凡。 ? 激進的三星SK海力士 在談?wù)揈UV DRAM是否非凡之前,我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說,光刻技術(shù)就是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)。近半個多世紀(jì),半導(dǎo)
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追趕SK海力士,三星、美光搶進HBM3E

五代產(chǎn)品。對于HBM3E,SK海力士預(yù)計2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品,2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊,容量達24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E的進展。據(jù)韓媒報道
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今日看點英特爾酷睿 Ultra 移動處理器發(fā)布:采用 Intel 4 工藝;極氪汽車發(fā)布首款自研“金磚”電池

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2018-12-25 14:31:36

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴產(chǎn)項目

。根本原因不在三星SK宣稱的市場因素,目前DRAM市場價格并不差,反倒是NAND的價格還在持續(xù)滑落中。擴大價格低落的產(chǎn)品線,不是拿石頭砸自己的腳嗎?同時也不是媒體所猜測的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放,國內(nèi)
2018-10-12 14:46:09

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三星存儲業(yè)務(wù)派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵

三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。
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DRAM 2018上半年還會漲嗎?具體看三星SK海力士增產(chǎn)實況!

據(jù)悉,在今年上半年DRAM價格恐怕很難減下來,還會繼續(xù)保持上漲趨勢。到2018下半年是否增長具體還的看三星、sk海力士的實際增產(chǎn)情況。
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2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚 三星SK海力士相繼推出HBM2

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三星攜手SK 海力士研發(fā)業(yè)界首見的EMI屏蔽技術(shù)

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2018-11-12 18:04:02291

三星,SK海力士及鎂光的反壟斷調(diào)查獲重要進展

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三星、SK海力士準(zhǔn)備向中國采購原材料 化解目前危機

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7月15日業(yè)界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試,近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
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DRAM價格上漲,三星SK海力士營收或改善

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SK海力士新款4D閃存有什么新的特點

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禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

軟件技術(shù)的產(chǎn)品。 正如外媒分析的那樣,禁令對三星SK海力士的傷害并不亞于華為,以SK海力士為例,其上半年133億美元的營收中,4成都來自對華為的出口。 有報道跟進表示,事實上三星SK海力士已經(jīng)向美方提交申請,希望允許在15日后繼續(xù)向
2020-09-11 15:54:1717929

三星SK 海力士將停止向華為出售零部件

隨著特朗普政府加強對華為的制裁,三星SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機,來了! 三星SK 海力士將斷供華為 近日,根據(jù)朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道,三星SK 海力士
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斷供華為 三星、SK海力士:我也不想啊

發(fā)布當(dāng)天(8月17日),三星、SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速,難道斷供華為也是韓企的愿望嗎? 斷供華為,三星SK海力士:我也不想啊 此番斷供,三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布,
2020-09-17 15:15:132193

三星SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價格大漲15%

據(jù)報道,韓國三星SK海力士宣布9月15日將停止向華為出售芯片。禁令期將至,華為何去何從?
2020-09-22 11:33:223272

三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品

目前,三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品。據(jù)報道,SK海力士大約有10%的銷售額來自華為,而華為同樣是三星重要的客戶之一。
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三星SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測后期不排除出現(xiàn)短缺

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淺析三星SK海力士的半導(dǎo)體之戰(zhàn)

韓國半導(dǎo)體已經(jīng)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中占據(jù)了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半導(dǎo)體銷售排名中,韓國廠商就占了兩個名額,分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士
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內(nèi)存價格仍在爆降,影響著三星、SK海力士等出貨量

內(nèi)存價格還在繼續(xù)下降,對于三星、SK海力士等廠商來說,這也刺激了相應(yīng)的出貨量。
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芯片行業(yè)需求好轉(zhuǎn),三星電子和SK海力士股價上漲

11月23日消息,據(jù)國外媒體報道,受三星電子和SK海力士上漲拉動,韓國股市周一收盤創(chuàng)新高。
2020-11-23 16:26:372063

SK海力士首次使用EUV光刻機生產(chǎn)芯片

存儲芯片廠商SK海力士今天宣布,其公司位于韓國首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工,SK海力士首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機在生產(chǎn)存儲芯片。SK海力士經(jīng)過兩年的時間,花費了3.5萬億韓元(約
2021-02-02 15:00:152216

三星電子和SK海力士擴大招聘以應(yīng)對芯片需求激增

在半導(dǎo)體芯片短缺的情況下,兩家韓國半導(dǎo)體巨頭(三星電子和SK海力士)正在積極尋求發(fā)展,他們正在擴大招聘以應(yīng)對芯片的需求不斷增加。在負責(zé)監(jiān)督半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門中,三星正在招聘經(jīng)驗豐富的工程師
2021-02-19 15:42:491638

SK海力士將向英偉達系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251333

三星SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休

三星電子和 SK 海力士已經(jīng)重組,以應(yīng)對半導(dǎo)體行業(yè)的低迷。他們正在尋求突破復(fù)雜的全球危機,其中包括銷售因經(jīng)濟低迷而下降。
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HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02753

三星SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱,去年第四季度在dram領(lǐng)域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域,三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:58410

存儲廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示,2022年,SK海力士HBM市場占據(jù)了50%的份額,三星占據(jù)了40%,美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16506

三星/SK海力士獲美出口管制無限期豁免 南亞科、旺宏等首當(dāng)其沖

美國將三星電子和sk海力士指定為veu(認證終端)用戶,無限期開放了美國企業(yè)對中國國內(nèi)三星、sk海力士工廠的半導(dǎo)體制造設(shè)備出口。同樣,受到美方禁令的臺積電也于10月9日表示,對市場傳聞不予評論。
2023-10-10 11:40:18851

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌,SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05627

三星SK海力士加碼半導(dǎo)體設(shè)備投資與產(chǎn)量,以緩解行業(yè)壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設(shè)備的投入,如三星電子預(yù)計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35326

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22576

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:48464

三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇

近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09444

OpenAI首席執(zhí)行會見三星SK海力士高管

近日,OpenAI的首席執(zhí)行Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進行了會面。據(jù)報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導(dǎo)體聯(lián)盟以及投資機會的可能性。
2024-01-30 18:23:46845

消息稱三星正在整合混合技術(shù)

據(jù)業(yè)界消息人士透露,為了進一步提升其芯片代工能力,三星正全力推進混合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉,應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合設(shè)備,這些設(shè)備預(yù)計將用于三星的下一代封裝解決方案,如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23473

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00503

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44809

三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術(shù)

三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
2024-03-14 11:00:14467

三星否認MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導(dǎo)電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21670

英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23375

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04494

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08299

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:05453

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04310

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07364

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19525

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21219

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39278

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09244

漲價20%!三星SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58198

三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52214

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35228

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13491

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責(zé)英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20763

臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
2024-05-17 10:07:08265

三星SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21293

SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:46291

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:49311

SK海力士力挫三星,穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位

值得注意的是,早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星,與英偉達共同研發(fā)了HBMHBM2系列產(chǎn)品,然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡,導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00262

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27344

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22291

TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34417

三星海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:36226

臺積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領(lǐng)域的重大
2024-06-25 10:13:12292

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進中,韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)的演示熱壓(TC)機,雙方將攜手開發(fā)下一代技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:15409

三星SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試

近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產(chǎn)品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應(yīng)服務(wù)器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù)的革新。
2024-07-02 10:24:08324

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:59250

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產(chǎn)能,應(yīng)對AI熱潮下的存儲需求

在全球人工智能(AI)技術(shù)持續(xù)升溫的背景下,韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略,以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:09163

汽車董事長何小宣布全新車型P7+:開啟智駕新時代

7月10日的官方聲明中,小汽車董事長何小正式宣布,公司將推出一款引人注目的全新車型——小P7+。這款B級全電動轎車以其超過5米的車身尺寸和“技術(shù)+”的精準(zhǔn)定位,預(yù)示著小汽車在智能駕駛領(lǐng)域的又一重大突破。
2024-07-10 16:11:22435

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312430

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