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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>浸潤(rùn)式微影技術(shù)強(qiáng)勢(shì)晉級(jí),EUV技術(shù)可有出頭日?

浸潤(rùn)式微影技術(shù)強(qiáng)勢(shì)晉級(jí),EUV技術(shù)可有出頭日?

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2015-11-05 00:45:21

報(bào)名最后時(shí)間,4月11深圳無(wú)線連接技術(shù)會(huì)議,人人有獎(jiǎng)路由...

、WSN、Homeplug等無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的革新。此外,隨著物聯(lián)網(wǎng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備和可穿戴式智能設(shè)備開始登上舞臺(tái),特別是隨著近期物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)和谷歌眼鏡、智能手表的強(qiáng)勢(shì)推動(dòng),無(wú)線連接創(chuàng)新技術(shù)與產(chǎn)品亦開始持續(xù)
2014-01-22 18:57:46

放電等離子體極紫外光源中的主脈沖電源

快照】:極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國(guó)際上對(duì)EUV光刻技術(shù)已開展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29

數(shù)碼調(diào)變技術(shù)與多工技術(shù)有何差異?

數(shù)碼調(diào)變技術(shù)是什么?什么是多工技術(shù)?數(shù)碼調(diào)變技術(shù)與多工技術(shù)有何差異?
2021-05-18 06:14:06

薄膜技術(shù)基礎(chǔ) []麻蒔立男

薄膜技術(shù)基礎(chǔ) []麻蒔立男TFT-LCD入門書。
2019-02-15 12:04:20

解鎖OpenHarmony技術(shù)!年度盛會(huì),即將揭幕!

OpenHarmony技術(shù) 即將揭幕!4月25(星期一)09:00-18:00與你驚喜相約! 共建新技術(shù)、開拓新領(lǐng)域OpenHarmony 工作委員會(huì)+7 家單位共同發(fā)起主論壇+3 場(chǎng)分論壇
2022-04-21 10:38:56

請(qǐng)問電力電子技術(shù)和信息技術(shù)的區(qū)別是什么?

電力電子技術(shù)和信息技術(shù),最明顯的區(qū)別是強(qiáng)電電子技術(shù)和弱電電子技術(shù)的區(qū)別,那么誰(shuí)知道更詳細(xì)點(diǎn)的
2018-11-21 23:22:20

調(diào)變技術(shù)與多任務(wù)技術(shù)有什么不同?

調(diào)變技術(shù)是什么?多任務(wù)技術(shù)是什么?調(diào)變技術(shù)與多任務(wù)技術(shù)有什么不同?
2021-05-19 07:17:23

車聯(lián)網(wǎng)~強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲!

`車聯(lián)盟,強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲!`
2016-05-03 12:03:39

銷售//原裝hioki置RM3548可測(cè)量μΩ到MΩ的高精度便攜式微電阻計(jì)

銷售//原裝hioki置RM3548可測(cè)量μΩ到MΩ的高精度便攜式微電阻計(jì)原裝hioki置RM3548出售成色漂亮需要的聯(lián)系主要//出售/收購(gòu)//品牌:HP/Agilent (惠普/安捷倫
2022-02-28 10:18:41

技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:據(jù)信,英特爾已經(jīng)通過最新技術(shù)——浸潤(rùn)式微技術(shù),半導(dǎo)體工藝再次獲得突破。
2012-09-13 17:15:181927

復(fù)合式微型能量采集器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及關(guān)鍵技術(shù)_陳東紅

復(fù)合式微型能量采集器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及關(guān)鍵技術(shù)_陳東紅
2017-03-19 11:41:392

中國(guó)EUV購(gòu)買受限,半導(dǎo)體面臨難產(chǎn)

 盡管EUV現(xiàn)在還存在各種障礙,但是其未來(lái)應(yīng)用前景依然各方被看好。從長(zhǎng)遠(yuǎn)角度來(lái)看,發(fā)展EUV技術(shù)是非常必要的。對(duì)此,林雨指出:“自上世紀(jì)九十年代起,中國(guó)便開始關(guān)注并發(fā)展EUV技術(shù)。最初開展的基礎(chǔ)性
2017-11-15 10:13:551240

三星首曝基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)

本周在火奴魯魯舉行的VLSI(超大規(guī)模集成電路)研討會(huì)上,三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:00967

EUV微影技術(shù)7nm制程正在接近 5nm制程還比較遙遠(yuǎn)

EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑,但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看,10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒,就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392279

極紫外光微影(EUV)技術(shù)據(jù)稱將在5納米(nm)節(jié)點(diǎn)時(shí)出現(xiàn)隨機(jī)缺陷

Borodovsky在采訪中表示,另一個(gè)可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外,他還表示支持直接電子束寫入,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV使用的復(fù)雜相移光罩最終將膨脹至目前浸潤(rùn)式光罩價(jià)格的8倍。
2018-04-11 15:59:3711349

EUV光刻技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)激烈,三星7納米EUV制程已完成新思科技物理認(rèn)證,臺(tái)積電緊追其后

EUV技術(shù)的7納米制程,直接上7納米LPP EUV制程技術(shù)的原因。如今,三星終于公布了7納米LPP制程已完成新思科技(Synopsys)物理認(rèn)證,意味著7納米EUV制程將可全球量產(chǎn)了。
2018-06-19 15:06:004522

一種超浸潤(rùn)重金屬離子檢測(cè)紙芯片

近日,中科院理化所微納材料與技術(shù)研究中心設(shè)計(jì)了一種超浸潤(rùn)重金屬離子檢測(cè)紙芯片。首先,通過噴墨打印法實(shí)現(xiàn)了高精度超浸潤(rùn)圖案的制作,然后在超浸潤(rùn)圖案內(nèi)通過噴墨打印探針分子實(shí)現(xiàn)了重金屬離子分析紙芯片的制作。在實(shí)際檢測(cè)過程中,只需將紙芯片放入待測(cè)水樣中,根據(jù)顏色變化即可實(shí)現(xiàn)水樣中重金屬離子的可視化分析。
2018-09-28 15:41:313807

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國(guó)另一家
2018-10-29 17:03:243560

英特爾確定的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)

隨著晶圓代工廠臺(tái)積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光(EUV)微影技術(shù),并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開發(fā)中的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)
2019-01-03 11:31:593812

EUV曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展推動(dòng)著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展,ArF液浸曝光技術(shù)EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(zhǎng)(λ)成正比,和光學(xué)的數(shù)值孔徑(NA,Numerical Aperture)成反比,也就是說(shuō),如果要增大解像度,需要在縮短波長(zhǎng)的同時(shí),擴(kuò)大數(shù)值孔徑。
2019-01-17 09:31:344905

臺(tái)積電將購(gòu)入18臺(tái)EUV光刻機(jī)!

據(jù)臺(tái)媒2月12日?qǐng)?bào)道,為延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版制程將按既定時(shí)間于3月底正式量產(chǎn),而全程采用EUV技術(shù)的5nm制程也將在今年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。
2019-02-16 11:11:154482

EUV技術(shù)再度突破 但發(fā)展EUV仍需大力支持

多重成像技術(shù)結(jié)合起來(lái)使用,但這在無(wú)形中提升了制造成本,拉長(zhǎng)了工藝周期。為了通過提升技術(shù)成本來(lái)平衡工序成本和周期成本,廠商們將底牌壓在了EUV光刻機(jī)身上,但是EUV真的能夠滿足廠商們的期盼嗎?
2019-04-03 17:26:554449

多家DRAM廠商開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)
2019-06-18 17:20:312438

DRAM廠將陸續(xù)導(dǎo)入EUV技術(shù)

DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下,已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM,主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047

助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限,極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn),EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模,超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712

美國(guó)泛林宣布與ASML、IMEC合作開發(fā)出新的EUV光刻技術(shù) 成本大幅降低

2月28日,美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù),不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能,還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10,大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228

WiFi 6強(qiáng)勢(shì)登場(chǎng) WLAN產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)行業(yè)

6(即 IEEE 802.11ax)借由智能型手機(jī)支援搭載引領(lǐng)擴(kuò)散,其更迅速擴(kuò)展晉級(jí)至 Wi-Fi 6E,由BroadcomBCM4389 芯片整合 Wi-Fi 6E 與藍(lán)牙 5.0 強(qiáng)勢(shì)出場(chǎng)。
2020-03-18 16:37:443028

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:392783

美光聲明:目前并無(wú)采用三星EUV計(jì)劃

。 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)計(jì),明年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)可能跨入 EUV 世代,將由三星搶先導(dǎo)入 EUV 技術(shù),以提升成本結(jié)構(gòu)與生產(chǎn)效率。 據(jù)臺(tái)媒指出,徐國(guó)晉 7 日接受采訪時(shí)表示,美光目前采用浸潤(rùn)式設(shè)備,配合其他制程可以達(dá)到一樣的效果,并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-12 09:36:181660

韓國(guó)EUV光刻技術(shù)方面取得極大進(jìn)展 專利申請(qǐng)是國(guó)外的兩倍以上

IT之家 11 月 16 日消息 據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 上周報(bào)道,韓國(guó)本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。但并沒有提到是哪一家企業(yè),合理推測(cè)應(yīng)指代韓國(guó)整個(gè)半導(dǎo)體光刻產(chǎn)業(yè)
2020-11-16 14:19:471817

韓國(guó)加快研發(fā)EUV光刻技術(shù),專利申請(qǐng)量猛增

援引韓媒 BusinessKorea 報(bào)道,以三星為代表的韓國(guó)企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。根據(jù)對(duì)韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)過去十年(2011-2020)的 EUV 相關(guān)專利統(tǒng)計(jì),在 2014 年達(dá)到 88 項(xiàng)的頂峰,2018 年為 55 項(xiàng),2019 年為 50 項(xiàng)。
2020-11-16 17:26:111397

極紫外(EUV)光刻技術(shù)將如何影響掩模收入?

體上,三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時(shí),口罩的數(shù)量減少了。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV將整個(gè)行業(yè)帶回單一模式。具有多個(gè)圖案的193nm浸入需要在高級(jí)節(jié)點(diǎn)處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096

消息稱美光或開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出,目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光(Micron),因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師,揭露美光也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程,準(zhǔn)備與韓國(guó)三星、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)
2020-12-25 14:33:101459

20年EUV光刻機(jī)量產(chǎn)歷程挽救摩爾定律

于2019 年正式量產(chǎn),我們知道這個(gè)技術(shù)已經(jīng)用在2019 年生產(chǎn)的麒麟990 5G 這顆有多于100 億個(gè)晶體管的芯片上。 第二個(gè)報(bào)告宣布了2020 年量產(chǎn)的5 納米世代將會(huì)有十幾層的制程用EUV 光刻技術(shù)來(lái)完成,取代多于它四倍(四十幾層)的193 納米浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。果然,2020 年秋天
2021-02-19 09:18:203017

EUV光刻技術(shù)助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個(gè)前所未有的速度開發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會(huì)。
2022-04-07 14:49:33488

euv光刻機(jī)原理是什么

euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī),是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備,對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢? EUV
2022-07-10 15:28:1015099

深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)
2022-10-18 12:54:053180

EUV的壟斷終將結(jié)束 EUV***逐步走向“落末”

從出貨量的不斷增多,再到產(chǎn)品的更新?lián)Q代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利,但是ASML的首席技術(shù)官透露EUV即將走到盡頭,之后的技術(shù)可能根本實(shí)現(xiàn)不了。
2023-01-30 16:31:492509

EUV光刻技術(shù)如何為功率半導(dǎo)體提供動(dòng)力

挑戰(zhàn)性。制造商正在關(guān)注稱為極紫 外(EUV) 光刻的先進(jìn)制造技術(shù)EUV光刻可用于制造比以前更小規(guī)模的芯片。該技術(shù)可以導(dǎo)致微處理器的發(fā)展,其速度比目前最強(qiáng)大的芯片快十倍。EUV光刻 的本質(zhì)也可以歸因于當(dāng)前芯片印刷技術(shù)的物理限制。
2023-02-15 15:55:294

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041792

ASML的EUV***研發(fā)歷程

asml是euv技術(shù)開發(fā)的領(lǐng)先者。asml公司是半導(dǎo)體領(lǐng)域光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)的領(lǐng)頭羊,也是全球市場(chǎng)占有率最大的光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)。2012年,asml推出了世界上第一個(gè)euv試制品,并于2016年推出了euv第一個(gè)商用顯卡制造機(jī)asmlnxe:3400b。
2023-06-08 09:37:553202

高精度便攜式微歐計(jì)DO7Plus技術(shù)參數(shù)

本文介紹了英國(guó)Seaward高精度便攜式微歐計(jì)DO7Plus技術(shù)參數(shù)
2023-08-03 16:29:41332

EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩?;?b class="flag-6" style="color: red">EUV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399

高數(shù)值孔徑EUV技術(shù)要求是什么

今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Michael Lercel表示,目標(biāo)是提高EUV的能源效率,以及他們下一代高數(shù)值孔徑EUV工具的開發(fā)狀況。
2023-08-11 11:25:25252

EUV薄膜容錯(cuò)成本高 成芯片良率的關(guān)鍵

近20年來(lái),EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563

高數(shù)值孔徑 EUV技術(shù)路線圖

高數(shù)值孔徑EUV 今年的大部分討論都集中在EUV的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑EUV的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Michael Lercel表示,其目標(biāo)是提高EUV的能源效率,以及下一代高數(shù)值孔徑EUV工具的發(fā)展?fàn)顩r。
2023-11-23 16:10:27255

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