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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式操作系統(tǒng)>傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

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2019年的10月1日,閃存巨頭東芝存儲(chǔ)公司將公司名稱更名為 Kioxia Corp. 。作為不依賴東芝品牌的閃存和應(yīng)用產(chǎn)品的專業(yè)供應(yīng)商,旗下業(yè)務(wù)開始了一段新旅程。 出售東芝記憶體比原計(jì)劃落后一年多
2019-10-17 10:43:2816940

東芝WD聯(lián)盟3D NAND采用三星技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)

Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:0711441

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來源:Kioxia Kioxia(原為東芝存儲(chǔ))有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品,與QLC NAND閃存相比,該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222

NAND閃存現(xiàn)曙光,今年?duì)I收有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。
2013-06-25 17:04:26684

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部

東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04669

東芝與西數(shù)投巨資擴(kuò)產(chǎn)3D Nand Flash產(chǎn)能 雷軍意外現(xiàn)身開幕式

7月15 日東芝偕同美國硬盤大廠西數(shù)(Western Digital)為日本三重縣四日市新設(shè)的半導(dǎo)體二廠舉行開幕儀式,兩者宣布至 2018 年前將投入超過 8,600 億日元(約 544億元人民幣)在 Nand Flash 的投資與產(chǎn)能布建。小米董事長(zhǎng)雷軍也現(xiàn)身 15 日東芝新廠開幕典禮會(huì)場(chǎng)。
2016-07-18 09:26:271305

干貨!一文看懂3D NAND Flash

句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì),主要的生產(chǎn)廠商,以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0640846

手機(jī)熱銷帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對(duì)

日經(jīng)新聞2016年10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo),使用于智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升,10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC(Multi-Level Cell)類型
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2017-04-14 08:41:45866

三星將投資70億美元擴(kuò)大中國NAND閃存芯片產(chǎn)能

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2017-08-29 09:39:441216

2015年中國MCU市場(chǎng)達(dá)47美元

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2011-04-02 23:25:35

NAND閃存深入解析

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯 NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47

NAND閃存的錯(cuò)誤觀念

在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55

NAND需求疲軟 東芝挫敗成就美光

七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次,受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。   雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來看十分嚴(yán)峻,但受平板電腦和固態(tài)硬盤廠商對(duì)NAND閃存需求的刺激,第二季度美國內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

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AMD正收購Xilinx,規(guī)?;虺?00美元

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S25FL132K0XMFI040閃存芯片S25FL132K0XMFA011

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SuperData:預(yù)計(jì)2020年全球虛擬現(xiàn)實(shí)VR市場(chǎng)規(guī)??蛇_(dá)280美元

SuperData數(shù)據(jù)顯示,在2016年VR軟件4.07美元銷售額中,72%來自游戲。到2020年,這個(gè)百分比降至41%,屆時(shí)企業(yè)、媒體以及其他VR軟件將會(huì)崛起。再加上硬件收入,預(yù)計(jì)2020年VR
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XIP是否通過QSPI支持NAND閃存

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2019-05-21 06:43:17

三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

,構(gòu)建可靈活供應(yīng)作為基礎(chǔ)部件的半導(dǎo)體的體制,以提高針對(duì)東芝等競(jìng)爭(zhēng)廠商的競(jìng)爭(zhēng)力。  三星在西安的工廠的總建筑面積為23萬平方米,占地114萬平方米。于2012年9月開工建設(shè)。最初投資金額為23美元。產(chǎn)能
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為什么航偏偏選用較為傳統(tǒng)的模擬圖?

對(duì)GHOSTDRONE 2.0配備的VR眼鏡圖像傳輸信號(hào)提出了質(zhì)疑:為什么航偏偏選用較為傳統(tǒng)的模擬圖,而不使用數(shù)字圖呢?
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全球智能變壓器和開關(guān)市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2025年收益241美元

` 全球智能變壓器和開關(guān)市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2025年收益241美元 2016年,預(yù)計(jì)全球智能變壓器和智能開關(guān)市場(chǎng)收益約為203美元,預(yù)計(jì)到2025年增至241美元。未來十年,智能變壓器和智能開關(guān)與傳統(tǒng)
2016-05-05 13:41:31

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇不明 轉(zhuǎn)向模擬芯片領(lǐng)域

第二大NAND閃存供應(yīng)商東芝(Toshiba)的高級(jí)副總裁ShozoSaito表示:“7-9月價(jià)格持平,或者略有上漲。”Saito表示,即使價(jià)格正在趨穩(wěn),但為了保險(xiǎn)起見,東芝仍為本財(cái)年最多下跌50
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可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品的全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品

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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

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夏普計(jì)劃裁員1.1萬人 擬出售資產(chǎn)融資27美元

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2012-09-25 23:49:39

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東芝“照亮”2012首季度NAND排行榜 僅次三星電子

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美光NAND閃存市占率新突破,首次超過20%

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東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

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2014-05-04 16:00:411263

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2016-12-23 16:22:381010

DRAM與NAND閃存等未來五年最看俏

內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大,研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá) 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1,099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599

東芝出售資產(chǎn)填補(bǔ)虧損已成習(xí)慣 這次是NAND閃存電腦芯片

繼出售家電、醫(yī)療等業(yè)務(wù)之后,東芝重組后的王牌業(yè)務(wù)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)也面臨出售。最新消息顯示,東芝計(jì)劃剝離制造NAND閃存電腦芯片的部門,通過至多出售19.9%股份獲得外部現(xiàn)金注入,目前富士康、SK海力士、西部數(shù)據(jù)正參與這項(xiàng)競(jìng)購。
2017-02-11 11:50:58413

西數(shù)若加入東芝半導(dǎo)體股權(quán)收購,可擴(kuò)大NAND Flash市占

足夠資金,彌補(bǔ)美國核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購,對(duì)此外界分析認(rèn)為,西部數(shù)據(jù)或可借由收購東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán),擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力,并
2017-02-15 01:06:41114

三星NAND閃存芯片銷量開始全面超越東芝

3月7日消息,雖然東芝NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320

最大芯片生產(chǎn)商NAND閃存供不應(yīng)求 三星計(jì)劃再投資186億美元

做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商,三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外,位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元,將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時(shí),三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:30928

東芝發(fā)布全球首個(gè)QLC閃存:壽命將與TLC閃存旗鼓相當(dāng)

東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言,這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740

東芝閃存芯片

東芝閃存芯片
2017-10-17 11:13:3815

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667

東芝計(jì)劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下

據(jù)悉,東芝的第 6 座工廠(Fab 6)還沒有完工,東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠,韋德就是能在2018年與三星,Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。
2017-12-27 14:06:091773

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

三星確認(rèn)建廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能

根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo),韓國存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn),將會(huì)在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前,韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712

三星計(jì)劃在西安擴(kuò)大閃存產(chǎn)能 未來三年投70億美元

2017年8月底,三星電子宣布與陜西省政府達(dá)成合作協(xié)議,將擴(kuò)大西安高新區(qū)工廠的 閃存產(chǎn)能 ,新建二期項(xiàng)目,未來三年投資70億美元。 與此同時(shí),三星也在韓國本土不斷加大投資,連續(xù)開建兩座新工廠,都兼具內(nèi)存、閃存產(chǎn)能力。
2018-03-19 14:59:011387

貝恩資本以180億美元拿下東芝存儲(chǔ)器

東芝存儲(chǔ)器是全球第二大NAND芯片制造商。去年,經(jīng)過漫長(zhǎng)又激烈的競(jìng)爭(zhēng)后,貝恩財(cái)團(tuán)拿下了東芝的這個(gè)芯片部門。東芝集團(tuán)在西屋核電部門投入數(shù)十億美元超支成本,差點(diǎn)使公司陷入危機(jī)之后,只好采取出售芯片部門
2018-06-08 01:50:003801

哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能

美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端,SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能,為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度??梢?,3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188

東芝推出基于單層存儲(chǔ)單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元(SLC)NAND閃存,并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能(ECC)。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

東芝TR200SSD240G性能測(cè)試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說中的64層3D NAND的故事,延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0010096

東芝開始出樣64GB NAND閃存芯片

關(guān)鍵詞:東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片,并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

關(guān)鍵詞:NAND , 閃存 這款嵌入式存儲(chǔ)器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標(biāo)準(zhǔn),將64GB NAND和一個(gè)控制器整合在一個(gè)封裝中 東芝公司今天宣布,業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)
2018-11-09 17:36:01215

分拆內(nèi)存業(yè)務(wù) 助力提高東芝/威騰陣營(yíng)的NAND Flash產(chǎn)能及產(chǎn)品開發(fā)

最新調(diào)查顯示,日本大廠東芝(Toshiba)為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力,已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù),預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力,長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰(WD)電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。
2018-12-10 10:11:251090

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

NAND的平均售價(jià)(美元/ GB)會(huì)降低54%,而下半年同比下降45%。 市場(chǎng)供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲(chǔ)價(jià)格的兩個(gè)主要因素,需求增加會(huì)推動(dòng)價(jià)格上漲,促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求,則可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價(jià)格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價(jià)年度變化(最右側(cè)年度價(jià)格變化
2019-03-20 15:09:01282

東芝NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前全面恢復(fù)生產(chǎn)

6月28日,據(jù)外媒體報(bào)道,東芝存儲(chǔ)公司(Toshiba Memory)表示,其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復(fù)全面生產(chǎn)。
2019-06-29 10:30:345239

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道,東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791

全球NAND閃存市場(chǎng)聞風(fēng)而動(dòng) 韓國對(duì)日制裁產(chǎn)生了一系列的影響

從去年初以來,全球NAND Flash閃存市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10
2019-11-14 15:58:53502

東芝擴(kuò)大機(jī)械硬盤生產(chǎn)能力,將推出10碟22 TB版本

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,東芝公司已經(jīng)宣布將增加其機(jī)械硬盤的生產(chǎn)能力,并擴(kuò)大其在菲律賓的一個(gè)工廠,以增加高端充氦HDD的產(chǎn)量。
2019-12-03 11:01:522972

三星擴(kuò)大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:202933

兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆 將推動(dòng)研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)

NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726

兆易創(chuàng)新推進(jìn)24nm閃存研發(fā) NOR閃存出貨超100億顆

NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522302

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,除擴(kuò)建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外,還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

SK海力士收購NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207

臺(tái)積電董事會(huì)批準(zhǔn)151億美元撥款方案,用于擴(kuò)大產(chǎn)能

已經(jīng)批準(zhǔn)了總額高達(dá) 151 億美元的撥款方案,用于擴(kuò)大先進(jìn)制程工藝的產(chǎn)能等。 從臺(tái)積電官網(wǎng)所公布的信息來看,臺(tái)積電董事會(huì)是在周二批準(zhǔn)這 151 億美元的撥款方案的,臺(tái)積電董事會(huì)在當(dāng)日召開了一次會(huì)議。 臺(tái)積電官網(wǎng)的信息顯示,董事會(huì)批
2020-11-11 18:01:331267

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

臺(tái)積電將投入118億美元擴(kuò)大產(chǎn)能

臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年的資本支出為250億美元到280億美元。 據(jù)外媒消息,作為芯片代工龍頭企業(yè)的臺(tái)積電,目前積壓了大量訂單,芯片產(chǎn)能吃緊。為此,臺(tái)積電正在建設(shè)更先進(jìn)的工廠,擴(kuò)大生產(chǎn)線,以保證有足夠的產(chǎn)能
2021-02-24 17:06:081628

東芝碳化硅芯片產(chǎn)能擴(kuò)大10倍 電動(dòng)汽車成主要驅(qū)動(dòng)力!

碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。 ? 東芝計(jì)劃擴(kuò)大10倍產(chǎn)能 ? 東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司東芝電子元件及儲(chǔ)存裝置,計(jì)劃在2023年將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)增至2020年度的3倍,在2025年度進(jìn)一步擴(kuò)增到10倍,東芝半導(dǎo)體的目標(biāo)是最
2021-12-09 17:40:562506

東芝建造新的300mm晶圓廠,擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

近日,東芝宣布將在其位于日本石川縣的主要分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地—加賀東芝電子株式會(huì)社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)建造一座新的300mm晶圓制造工廠,以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。
2022-02-22 13:16:182174

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

2Gb以下容量的 NAND閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量,2Gb以上容量的NAND閃存則將頁容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762

東芝擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,爭(zhēng)奪電動(dòng)汽車市場(chǎng)份額

據(jù)公開報(bào)道,東芝已與羅姆聯(lián)手,致力于提升產(chǎn)能與競(jìng)爭(zhēng)力。此外,東芝將投資逾1250億日元(折合1.7557億美元)擴(kuò)充功率芯片產(chǎn)能,以期超越包括英飛凌在內(nèi)的其他實(shí)力強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)者。
2023-12-26 14:23:14175

俠提升NAND產(chǎn)能 行業(yè)影響及業(yè)界觀點(diǎn)

潘建成表示,群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng),將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為,原廠擴(kuò)大產(chǎn)能,有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序,使價(jià)格合理回歸,否則過高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481

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