Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點開發(fā)面向為電力電子應(yīng)用的經(jīng)濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實現(xiàn)GaN功率場效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:539423 
近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于不同封裝技術(shù)對不同應(yīng)用的影響以及這些技術(shù)如何用于構(gòu)建高性能GaN設(shè)備。
2019-03-11 08:04:004608 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:002731 解決方案需要額外的 IC，這會增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中，作者介紹了一種與 GaN FET 兼容的模擬控制器，該控制器的材料清單數(shù)量很少，讓設(shè)計人員能夠以與使用硅 FET 相同的簡單方式設(shè)計同步降壓轉(zhuǎn)換器，并提供卓越的性能
2022-07-26 11:57:091274 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 開關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動低電感電機帶有集成型柵極驅(qū)動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進(jìn)行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
服務(wù)器。電力是昂貴的，但所需的冷卻也是如此。電力轉(zhuǎn)換路徑的任何節(jié)省都是值得的。圖1顯示了具有120或240 V交流輸入的典型電源。 電力公司需要功率因數(shù)校正（PFC）級。這通常是一個直流輸出為380 V
2017-05-03 10:41:53
、高速驅(qū)動和保護(hù)機制的功率級器件LMG3410R070（圖2），這款產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)首款600V GaN集成功率級器件，采用的是8mm X 8mm QFN封裝的多芯片模塊（MCM），方便工程師方案設(shè)計。導(dǎo)
2019-07-16 00:27:49
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
作者: 德州儀器設(shè)計工程師謝涌；設(shè)計與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅(qū)動器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-11 14:04:25
，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅(qū)動器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
化作業(yè),設(shè)計簡單、性能可靠，是一款革命性LED驅(qū)動方案，能有效降低產(chǎn)LED照明產(chǎn)品成本、并同時提高產(chǎn)照明產(chǎn)品壽命。 有需要聯(lián)系***鐘R
2013-07-19 14:18:31
(線性調(diào)頻信號，三角波，方波等)， 轉(zhuǎn)換速率為8GSPS@12bits，有效位為10bits，單通道；(b) 基于TI公司 DAC5682高性能任意信號產(chǎn)生器(線性調(diào)頻信號，三角波，方波等)， 轉(zhuǎn)換速率為
2013-06-08 09:51:31
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動器專為特定的GaN FET驅(qū)動要求而設(shè)計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
kSPS時實 現(xiàn)88 dB的信噪比 (SNR)。為使客戶的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計具備高性能、高可靠性和市 場競爭力，ADI公司已決定開發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計平臺，其既 可用于評估IC，又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建
2018-10-30 11:48:08
體驗。我們的VIVE?解決方案采用高通創(chuàng)銳訊基于算法的革命性技術(shù)進(jìn)行增強，將使網(wǎng)絡(luò)容量提高三倍，優(yōu)化Wi-Fi設(shè)備的使用方式，最大限度地提高網(wǎng)絡(luò)上每個用戶的連接能力。
2019-08-15 07:58:07
FET沒有寄生的體二極管，所以不存在反向恢復(fù)損耗，其開關(guān)噪聲也比Si管小很多，這能減小失真和EMI。圖2. GaN晶體管和Si管的損耗比較圖3是常用功率器件的適用場合。目前GaN晶體管普遍電壓在600V
2019-03-14 06:45:08
描述該適用于高性能數(shù)據(jù)采集 (DAQ) 系統(tǒng)的參考設(shè)計優(yōu)化了功率級，以降低功耗并最大程度地減小開關(guān)穩(wěn)壓器的 EMI 影響（通過使用 LMS3635-Q1 降壓轉(zhuǎn)換器）。與 LM53635 降壓轉(zhuǎn)換
2018-12-05 13:56:04
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
轉(zhuǎn)換器設(shè)計示例展示了 EPC 的汽車級 eGaN FET（如 EPC2206）如何幫助集成 48 V 總線，以實現(xiàn)高功耗負(fù)載電氣化并滿足整個車輛不斷增長的功率需求。在48 V至12 V域之間傳輸功率
2023-02-21 15:57:35
weightUtilizes TI's high voltage GaN FETs as input switchesOptimized LLC SR conduction with UCD7138
2018-11-23 15:01:45
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2022-09-23 07:12:02
。LMG1210具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間控制，可最大程度地減少第三象限損耗。請參見TI白皮書：使用LMG1210 GaN驅(qū)動器通過空載時間控制來優(yōu)化效率。TI 在這些設(shè)計中使用了高效功率轉(zhuǎn)換 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09
= 48 V至VOUT = 1V。 使用圖4所示的基于GaN技術(shù)的最佳設(shè)計，對比單級48 VIN至1 VOUT的POL轉(zhuǎn)換器和傳統(tǒng)兩級IBA法的預(yù)計效率和功率密度，并在表1總結(jié)（硅基解決方案遠(yuǎn)不及這些
2018-08-29 15:10:47
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級，設(shè)計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
Ω、600-V GaN 功率晶體管和專用驅(qū)動器。目標(biāo)應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、電信整流器、電機驅(qū)動器、焊接電源和其他工業(yè)交流供電轉(zhuǎn)換器。該設(shè)計支持用于提高效率的切相和自適應(yīng)死區(qū)時間、用于提高輕負(fù)載
2022-04-12 14:11:49
at 100kHZ and 230V (Power derates to 600W for 115V long time operation)TI’s LMG3410 GaN power stage
2018-11-23 16:19:59
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
了一個采用降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的100V半橋評估板，如圖5所示，以協(xié)助電力電子設(shè)計人員?！ 〗Y(jié)論 要實現(xiàn)GaN功率級的真正優(yōu)勢，需要實施專門設(shè)計用于GaN晶體管的優(yōu)化柵極驅(qū)動器。因此，GaN可以被推到
2023-02-24 15:09:34
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級，設(shè)計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加…
2022-11-15 07:01:49
的原型機。對于大量原型機的實時監(jiān)視會提出一些有意思的挑戰(zhàn)，特別是在GaN器件電壓接近1000V，并且dv/dts大于200V/ns時更是如此。一個經(jīng)常用來確定功率FET是否能夠滿足目標(biāo)應(yīng)用要求的圖表是安全
2019-07-12 12:56:17
電子功率轉(zhuǎn)換器非常重要，電子功率轉(zhuǎn)換器包括磁性器件，例如：用于功率傳輸?shù)淖儔浩骱陀糜谀芰看鎯Φ碾姼衅鳌１疚慕忉屃似矫娲偶绾卧谛?、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。
2023-09-06 06:38:52
)封裝，并且能幫助電源設(shè)計人員迅速發(fā)揮這種材料的真正優(yōu)勢。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡化這款產(chǎn)品的使用性，并優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能
2018-08-30 15:05:40
怎樣去提升高性能示波器的通用性和擴充能力？求解
2021-05-07 06:10:11
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計，圖1a所示的功率級開關(guān)節(jié)點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形
2022-11-15 06:43:06
。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形（a）；設(shè)備封裝（b）；半橋板圖（c）。 GaN FET具有低端子電容，因而
2019-08-26 04:45:13
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
模塊。負(fù)載是一個常見的燈泡。一個德州儀器 (TI) LMG5200 GaN評估套件控制進(jìn)入燈泡的電力。一個舊鼠標(biāo)的滾輪作為輸入。你將用這個滾輪來控制GaN功率級輸出的上升和下降。
圖3：硬件設(shè)置
2018-08-31 07:15:04
Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動器和保護(hù)功能的器件。它是一個
2023-02-14 15:06:51
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
48V 電壓驅(qū)動至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級架構(gòu)解決方案——以一種靈活的、可調(diào)節(jié)的、高性價比方式，將 48V 電壓驅(qū)動至負(fù)載點
2021-05-26 19:13:52
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個600V GaN功率級樣品時，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命
功率MOSFET出現(xiàn)之前，雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而且線性供電支配著整個電源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371378 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532356 提升高性能示波器的通用性和擴充能力
2017-01-14 03:03:35
14 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061928 。 TI推出的是面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，與TI現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2．2 MHz集成柵極驅(qū)動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達(dá)99％的效率，與此同時，
2020-11-17 17:50:351927 電力電子行業(yè)的設(shè)計人員需要采用新的技術(shù)和方法來提高系統(tǒng)性能。結(jié)合使用C2000實時MCU和GaN FET可應(yīng)對效率和功率密度方面的挑戰(zhàn)。 內(nèi)容概覽 本白皮書探討了具有集成驅(qū)動器的TI氮化鎵(GaN
2021-04-08 09:31:081699 
DN87-快速調(diào)節(jié)器提升高性能處理器的速度
2021-04-17 20:44:430 引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。?
圖1：TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形（a）；設(shè)備封裝（b）；半橋板圖（c）。
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GaN FET
2021-12-16 15:09:521378 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-25 09:15:05488 
在設(shè)計基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個革命性事件，其規(guī)模可與 70 年代后期的功率 MOSFET 革命相媲美，當(dāng)時 Alex Lidow
2022-08-01 11:18:04513 本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計具有擴展的功能
2022-07-29 08:56:44853 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-29 08:06:37394 
解決方案需要額外的 IC，這會增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中，作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器，該控制器的物料清單數(shù)量少，使設(shè)計人員能夠像使用硅 FET 一樣簡單地設(shè)計同步降壓轉(zhuǎn)換器，并提供卓越的性能。 眾所周知，與傳統(tǒng)的硅 FET 相比，氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:08570 
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計。eGaN FET 和 IC 的芯片級封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱。高性能熱設(shè)計可以保證基于 eGaN 的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計具有更高的輸出功率，具有緊湊的尺寸和低導(dǎo)通電阻。
2022-08-09 09:41:461331 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢作用。
2023-02-08 09:36:081456 
在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
2023-02-17 20:08:302 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 14:17:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 15:27:070
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