英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿足汽車行業(yè)的動力總成和安全應(yīng)用的各種要求的全新32位多核單片機系列。
2012-05-22 09:33:13
4243 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?；?b class="flag-6" style="color: red">全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計
2012-07-15 01:23:461266 LSI公司宣佈推出專為Ultrabook設(shè)計的SandForce SF-2200/2100用戶端快閃記憶體儲存處理器（FSP），其強化功能可滿足Ultrabook嚴格的功耗要求，并提供快閃記憶體技術(shù)的卓越效能優(yōu)勢。
2012-08-06 10:20:321744 
英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:331678 英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS?家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。
2013-02-25 09:52:061520 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。
2013-05-20 11:31:282572 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產(chǎn)品應(yīng)用于LED球泡燈驅(qū)動器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實現(xiàn)更緊湊設(shè)計的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:36518 
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 憑借在汽車領(lǐng)域的多年從業(yè)經(jīng)驗，英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質(zhì)與出色的技術(shù)知識相結(jié)合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38985 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:193993 
英飛凌科技再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅(qū)動集成芯片。
2022-03-02 14:07:131887 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化，進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
/ OTCQX代碼：IFNNY）推出了適用于反激式拓撲結(jié)構(gòu)的ICC80QSG單級脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制器，進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產(chǎn)品陣容。該IC專為電池充電應(yīng)用量身定制，與CoolMOS? P7超級結(jié)（SJ）MOSFET配合使用，實現(xiàn)輸出功率高達130 W的、可擴展的功率設(shè)
2022-10-10 17:06:25631 
基于Integrity Guard 32的增強型安全架構(gòu)，在安全性、效率、性能和易用性方面樹立全新行業(yè)標桿 ? ? 【 2023 年 8 月 18 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE
2023-08-21 14:32:22515 
? Edge。PSoC?產(chǎn)品組合是英飛凌基于Arm? Cortex?內(nèi)核打造的高性能且低功耗的安全器件。PSoC Edge 專為新一代實時響應(yīng)計算和控制應(yīng)用而設(shè)計，并提供由硬件輔助的機器學習（ML
2023-11-30 15:55:38422 
【 2023 年 12 月 19 日，德國慕尼黑訊】 為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26900 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一個（全主傳感開關(guān)穩(wěn)壓器）。該IC在同一封裝中集成了高性能，低電壓PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振（QR）電流模式控制器IC，專為QR ZVS（零電壓開關(guān)）反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計
2020-08-12 08:43:59
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 附件是英飛凌在低壓電動車的方案分享，給有需要的人選擇
2019-06-18 10:31:33
這一傲人的成績。英飛凌的MEMS麥克風開發(fā)戰(zhàn)略涵蓋了主要的構(gòu)建模塊MEMS、ASIC和該傳感器系列的封裝。因此，英飛凌完全掌握著其產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和技術(shù)創(chuàng)新。如今，英飛凌在自主技術(shù)的基礎(chǔ)上推出
2023-03-03 16:53:59
了MOSFET的導通損耗。此外，采用高壓MOSFET還可降低主傳導損耗。例如，800V CoolMOS? C3 或全新900V CoolMOS? 可使效率再提高1%至3%[6-8]。這出色地平衡了成本和效率
2018-12-05 09:46:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族
2012-08-17 13:27:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
專為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)而生，打造DTU600系列，助力數(shù)據(jù)超遠距離傳輸！明遠智睿的DTU600系列，工業(yè)場景專用設(shè)計，符合工業(yè)行業(yè)標準，采用高性能的工業(yè)級32位通信處理器，具備軟件多級檢測和硬件多重保護機制
2021-12-17 17:46:35
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2021-08-23 09:23:12
－減小系統(tǒng)EMI使得外置的吸收電路不再需要預(yù)先注冊本次在線研討會，將會增大在7月18日至7月28日2012 英飛凌夏季大型網(wǎng)絡(luò)活動“CoolMOS? 開門吧”活動中的中獎機率！獲獎攻略；1、預(yù)先注冊本次
2012-07-13 10:50:22
參數(shù)設(shè)置。以直流電壓源為例，雙擊電壓源圖標會彈出參數(shù)設(shè)置界面，填入輸入額定電壓值“100”V即可;▍電路模型重復上述步驟進行器件選擇與參數(shù)設(shè)置后，按照電路拓撲結(jié)構(gòu)對器件進行連接,得到的LC串聯(lián)諧振
2024-03-01 10:05:15
為什么 ST 在 AN4599 的 LLC 諧振拓撲中添加一個 100pf 1000V 1210 并聯(lián)電容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴展了研發(fā)設(shè)計的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動IC以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓撲組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動電源設(shè)計的半導體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發(fā)站內(nèi)信聯(lián)系我！基本參數(shù)為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數(shù)再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
來電報單 電子**現(xiàn)金高價收購廠家、,原裝外殼長期收購全新三墾igbt模塊回收長期,收購,回收 IGBT模塊回收英飛凌模塊回收嘉善回收IGBT模塊,回收西門康模塊收購可控硅西門康模塊回收,長期,高價,現(xiàn)金
2022-01-01 19:06:43
開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-12 18:35:12
的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴展了研發(fā)設(shè)計的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動ＩＣ以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓撲組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動電源設(shè)計的半導體器件選型需求。
2019-08-06 06:14:02
描述此設(shè)計將 LM5023 反激式控制器用于雙開關(guān)準諧振反激式拓撲。它從通用輸入 (85VAC - 265VAC) 產(chǎn)生隔離式輸出 (19.5V@3.84A)。主要特色通用輸入電壓雙開關(guān)準諧振反激式拓撲
2018-11-13 16:52:24
。IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS?E6器件的代表，具備快速、可控的開關(guān)性能，適用于效率和功率密度是關(guān)鍵要求的應(yīng)用。650VCoolMOS? E6器件易于應(yīng)用，是各種高能效開關(guān)產(chǎn)品
2017-04-12 18:43:19
），Qg（開關(guān)損耗）有要求，同時對于如何能夠有效的實現(xiàn)軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-10-22 15:23:49
母線電路需設(shè)計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
ICL5101來實現(xiàn)一個120W的LCC恒流LED驅(qū)動電源. 圖-7是LCC拓撲結(jié)構(gòu)，采用次級電流采樣做恒流反饋，并能實現(xiàn)0-10V調(diào)光的示意電路。PFC開關(guān)管采用了英飛凌的高性價比P6系列CoolMOSTM
2018-10-10 17:30:07
，低成本，高效率，高可靠性，長壽命等。采用16腳封裝，集成PFC和半橋諧振控制器的ICL5101，并使用LCC拓撲很好的實現(xiàn)了以上目標，它的高集成度可減少外部元件數(shù)量，非常合適結(jié)合LCC高性能的優(yōu)勢。實現(xiàn)
2018-12-12 09:49:28
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
華潤微coolMOS 現(xiàn)貨供應(yīng) CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053 英飛凌推出全新XMM2138平臺支持不斷增長的雙卡手機市場
英飛凌科技股份公司近日推出支持雙卡手機操作的全新 XMM2138平臺。雙卡手機可在一部手機中同時使用兩個SIM（
2010-02-26 11:16:24590 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Diodes公司日前推出全新多拓撲LED驅(qū)動器，全面提升高亮度汽車、工業(yè)及商用照明系統(tǒng)的性能。最新的ZXLD1374 LED驅(qū)動器
2010-11-19 09:29:15763 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機產(chǎn)品家族，它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發(fā)針對應(yīng)用而優(yōu)化的外設(shè)，并具備出色的實時功能的單片機方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計出一個600V CoolMOS結(jié)構(gòu)，首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手，結(jié)合電荷平衡 理論，分析了其高擊穿電壓BV、低導通電阻R。 的原理。通過理論計算，得到相關(guān)的設(shè)計
2012-06-20 16:37:20
48 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381390 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
電源制造商需要使用能夠提供最佳性能、效率、穩(wěn)健性且便于設(shè)計的器件。為此，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了第5代固定頻率700 V/800
2018-04-03 17:01:2611179 近來， LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設(shè)計工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓撲。特別是在電源啟機，動態(tài)負載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。
2018-04-11 09:39:425792 ?CE ，及最新一代超高性價比的CoolMOS? P7，每系列產(chǎn)品一經(jīng)推出都在CoolMOS?市場獨領(lǐng)風騷。
2018-09-06 15:54:256753 全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出微型同軸電纜連接器。節(jié)省空間的微型同軸電纜連接器具有堅固、緊湊的設(shè)計，專為高性能微波系統(tǒng)而打造。TE的連接器專為接受
2018-11-07 15:46:13963 1.1諧振變換器拓撲綜述
2019-02-27 06:04:004369 
1.2基本二元和三元諧振拓撲
2019-02-26 06:17:004274 
4月24日，SteelSeries賽睿正式宣布推出Arctis寒冰9X游戲耳機。這是賽睿寒冰家族首款專為Xbox One打造的高品質(zhì)音頻設(shè)備，采用Xbox Wireless無線連接技術(shù)，耳機在使用時更加方便快捷，同時支持藍牙連接。
2019-04-25 09:48:542787 Cool-Mos是英飛凌推出的新產(chǎn)品，其中C3系列是最有代表性，因為其性能參數(shù)都比別的品牌好，但價格相當高。
2019-06-25 15:02:5022622 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設(shè)計中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準諧振CoolSET 系列產(chǎn)品以及EiceDRIVER系列驅(qū)動IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應(yīng)用測量結(jié)果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:322579 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 據(jù)悉，由中國電信與華為聯(lián)合打造的TC7102路由器采用一種叫“凌霄650”WiFi 6+方案。凌霄650不是一個單獨的芯片，而是由凌霄650 WiFi、凌霄650 PLC和凌霄650 CPU三顆
2020-08-26 17:25:045203 一直以打造極具沉浸式游戲體驗為榮的ALIENWARE，與NVIDIA和AMD強化合作，進一步打破電腦游戲的邊界，推出全新升級版ALIENWARE m15/17 R4 和 ALIENWARE AURORA R10，為游戲玩家提供更暢快淋漓的極致體驗。
2021-01-13 16:55:001768 淺析LLC諧振電路的拓撲結(jié)構(gòu)與電路仿真
2021-11-17 17:56:4592 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當今的每一項尖端硅技術(shù)與寬帶對應(yīng)技術(shù)相結(jié)合。基于市場上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù)，英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案，這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 【 2022 年 11 月 08 日，德國慕尼黑訊】 為了滿足當今市場對產(chǎn)品小型化、高能效的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的CoolMOS
2022-11-09 11:33:15378 
650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ，IRS2975C的小尺寸和性能專為不斷增加的iToF應(yīng)用量身定制，能夠在低功耗的情況下提供寬泛的工作范圍。這款全新iToF傳感器是智能手機、服務(wù)機器人、無人機以及各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想選擇。 英飛凌的最新像素技術(shù)由于包含高級3D場域工程設(shè)計，因此具有優(yōu)異的解調(diào)效率。并且
2022-12-25 01:22:25684 ，IRS2975C的小尺寸和性能專為不斷增加的iToF應(yīng)用量身定制，能夠在低功耗的情況下提供寬泛的工作范圍。這款全新iToF傳感器是智能手機、服務(wù)機器人、無人機以及各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想選擇。 英飛凌的最新像素技術(shù)由于包含高級3D場域工程設(shè)計，因此具有優(yōu)異的解調(diào)效率。并且
2023-01-09 12:56:07355 LLC電源拓撲顧名思義該拓撲是由兩個感抗器件和一個容抗器件組成的，一個是諧振電感Lr，一個變壓器（原邊感量為Lm）和一個諧振電容Cr，三個器件串聯(lián)形成諧振腔。
2023-03-17 17:14:047191 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
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