旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝是一門精細(xì)的技術(shù)，涉及多個步驟和精細(xì)的操作，以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，下面簡單介紹下旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝。
2024-03-16 17:39:17
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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關(guān)于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:002494 
盡管三星在晶圓代工領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)烈的追趕勢頭，但業(yè)界對其的評價(jià)并非全然樂觀
2024-03-08 16:05:41187 近期的演示會上，美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達(dá)到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162
表面貼裝技術(shù)（Surface Mount Technology，簡稱SMT）是現(xiàn)代電子制造業(yè)中的一種重要技術(shù)，主要用于將電子元件貼裝在印刷電路板（PCB）上。
在SMT中，紅膠工藝和錫膏工藝是兩種
2024-02-27 18:30:59
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00249 三星方面確認(rèn)，此舉目的在于提升無晶圓廠商使用尖端GAA工藝的可能性，并縮減新品開發(fā)周期及費(fèi)用。GAA被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體核心技術(shù)，使晶體管性能得以提升，被譽(yù)為代工產(chǎn)業(yè)“變革者”。
2024-02-21 16:35:55312 近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以加強(qiáng)其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:01362 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:46324 服務(wù)范圍PCB、PCBA、汽車焊接零部件檢測標(biāo)準(zhǔn)1、整車廠標(biāo)準(zhǔn)：韓系（含合資）-ES90000系列、?系（含合資）-TSC0507G、TSC0509G、 TSC0510GTSC3005G、德系（含合資）-VW80000系列、美系（含合資）-GMW3172、吉利汽車系列標(biāo)準(zhǔn)、奇瑞汽車系列標(biāo)準(zhǔn)、一汽汽車系列標(biāo)準(zhǔn)等2、其他行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)/國標(biāo)/特殊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等：
2024-01-29 22:37:53
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來6個月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:00239 三星電子近日宣布，已在美國硅谷開設(shè)一個新的研發(fā)（R&D）實(shí)驗(yàn)室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Solutions America（DSA）運(yùn)營，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動。
2024-01-29 11:29:25432 報(bào)導(dǎo)指出，因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解，2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利，今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 12:33:5298 關(guān)鍵因素上來，也就是半導(dǎo)體制造工藝。 ? 在英特爾宣布開展IDM 2.0后，芯片設(shè)計(jì)廠商們的選擇一下多了起來，英特爾、三星和臺積電都能為其提供優(yōu)異的工藝解決方案。尤其是英特爾近年來拼了命地追趕，寧肯下血本，也要把IFS做起來，甚至目標(biāo)是做到
2024-01-23 00:19:002237 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387 根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 近期，全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價(jià)格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲，漲幅預(yù)計(jì)達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21549 三等獎 。這是對華秋DFM在智能制造領(lǐng)域所做出的努力和成果的肯定，也是對其在推動智能制造新技術(shù)、新應(yīng)用、新生態(tài)方面所做出的貢獻(xiàn)的認(rèn)可。
本屆大會以 “智改數(shù)轉(zhuǎn)網(wǎng)聯(lián)、數(shù)實(shí)融合創(chuàng)新” 為主題，由江蘇省
2023-12-15 10:36:23
三等獎 。這是對華秋DFM在智能制造領(lǐng)域所做出的努力和成果的肯定，也是對其在推動智能制造新技術(shù)、新應(yīng)用、新生態(tài)方面所做出的貢獻(xiàn)的認(rèn)可。
本屆大會以 “智改數(shù)轉(zhuǎn)網(wǎng)聯(lián)、數(shù)實(shí)融合創(chuàng)新” 為主題，由江蘇省
2023-12-15 10:33:29
請問一下電機(jī)的星三角啟動是不是降低電機(jī)的啟動電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
門。盡管它們都是用于存儲數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個個存儲單元組成的，每個存儲單元由一個電容和一個開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:003894 三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 據(jù)gartner稱，人工智能芯片市場規(guī)模有望從今年的534億美元增長到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲芯片市場上，三星落后于競爭企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18176 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
2023-11-23 09:04:42177 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商要通過產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)模化優(yōu)勢及技術(shù)持續(xù)升級迭代保持競爭力。
2023-11-21 15:00:161290 
重復(fù)性。工作原理當(dāng)觸針沿被測表面輕輕滑過時(shí)，由于表面有微小的峰谷使觸針在滑行的同時(shí)還沿峰谷作上下運(yùn)動。觸針的運(yùn)動情況就反映了表面輪廓的情況。中圖儀器國產(chǎn)臺階儀廠商
2023-11-20 11:41:33
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-16 16:55:04269 
目前國產(chǎn)MCU有加密功能的有哪些廠商？
2023-11-15 11:50:00
西門子電機(jī)繞組重繞后，星三角啟動角型切換時(shí)跳空開，電機(jī)保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動，西門子電機(jī)有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958 2025 年，三星預(yù)計(jì)將推出 SF2（2nm 級）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處，
2023-11-01 12:34:14222 
新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:36358 在2023年2月在國際學(xué)會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 的地位，并向世人展示了中國激光制造的崛起之路。一、起步階段：追趕全球先進(jìn)水平上世紀(jì)70年代，中國的激光技術(shù)剛剛起步。當(dāng)時(shí)的科研人員以極高的熱情投入到激光技術(shù)的研究中，
2023-10-18 10:14:58425 
，在大功率應(yīng)用領(lǐng)域擁有顯著的優(yōu)勢,一度被稱為近乎理想的功率半導(dǎo)體器件。
圖-14：IGBT產(chǎn)業(yè)鏈
圖-15：IGBT生產(chǎn)流程
圖-16：IGBT結(jié)構(gòu)升級
圖-17：IGBT制造三大難點(diǎn)
圖-18
2023-10-16 11:00:14
GPS定位到三顆星為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
今年上半年，三星電子的旗艦產(chǎn)品，如半導(dǎo)體、智能手機(jī)和電視等，在市場份額方面普遍遭遇下滑。特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心業(yè)務(wù)DRAM方面，盡管三星電子仍然占據(jù)全球第一的位置，但市場份額已經(jīng)達(dá)到了自9年來的最低點(diǎn)。
2023-08-18 17:14:571534 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對于絕大部分晶圓廠來說，都不會去妄想從先進(jìn)工藝上和中芯國際、三星或英特爾這樣的廠商去競爭，因?yàn)橥顿Y成本之大風(fēng)險(xiǎn)之高均能使其望而卻步。但這并不代表他們只能望著成熟工藝
2023-08-09 00:15:001139 的挑戰(zhàn)。 然而，近期出現(xiàn)了一些積極跡象。主要DRAM制造商，例如三星、SK海力士和美光相繼宣布減產(chǎn)，有針對性地緩解了供應(yīng)過剩的問題。這一舉措使得DRAM市場出現(xiàn)了觸底反彈的跡象，報(bào)價(jià)連續(xù)兩個月保持持平，這在過去一年多以來尚屬首次。 根據(jù)《
2023-08-03 15:18:57841 電動機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-08-01 10:35:46294 
制造工藝主要包含哪些環(huán)節(jié)？連接器的制造工藝按照產(chǎn)品類型、產(chǎn)品規(guī)格、以及制造廠家的不同，在生產(chǎn)工藝上會有不同。一般包含有以下幾個方面：金屬材料的選擇、材料的預(yù)處理
2023-08-01 00:25:12425 
。好了，今天就來談?wù)勥B接器制造工藝的話題。 連接器制造工藝主要包含哪些環(huán)節(jié)？??? 連接器的制造工藝按照產(chǎn)品類型、產(chǎn)品規(guī)格、以及制造廠家的不同，在生產(chǎn)工藝上會有不同。一般包含有以下幾個方面：金屬材料的選擇、材料的預(yù)處理、沖
2023-07-31 16:09:44381 1. 傳三星3 納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報(bào)道，盡管受NAND和DRAM市場拖累，三星電子業(yè)績暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個3nm芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報(bào)告，當(dāng)季三星
2023-07-31 10:56:44480 電動機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-07-21 17:19:25694 
目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強(qiáng)對3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:423176 不同位置鉆孔加工。
現(xiàn)場可以看到，華秋配備有20萬轉(zhuǎn)6軸鉆機(jī)，定位精度在50μm以內(nèi)，重復(fù)精度在25μm以內(nèi)；采用全數(shù)字化動態(tài)仿真分析設(shè)計(jì)手段、高精度配件和科學(xué)成熟的生產(chǎn)制造工藝，以及嚴(yán)格的質(zhì)量管
2023-06-16 11:37:34
元器件，
例如電流互感器、變壓器、繼電器、電器開關(guān)及接線等等。
這些電器元器件都需要精心挑選以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。
三、制造組裝
在材料準(zhǔn)備完成之后，就需要進(jìn)行接地電阻柜的組裝了。
此階段的重點(diǎn)
2023-06-08 11:04:41
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358 供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
調(diào)整為每月62萬片12英寸晶圓。與去年第四季度相比下降了5.34%。
特別是在第二季度，三星在西安半導(dǎo)體工廠將大幅減產(chǎn)。就西安一廠而言，預(yù)計(jì)將減產(chǎn)至每月11萬片，比去年第四季度的每月12.5萬片減少12
2023-05-10 10:54:09
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過不同工藝的組合來實(shí)現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。 其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀(jì)的發(fā)展與完善，電鍍通孔法無論從設(shè)備、材料方面，還是
2023-05-06 15:17:292402 
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過不同工藝的組合來實(shí)現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀(jì)的發(fā)展與完善，電鍍通孔法無論從設(shè)備、材料方面，還是工藝方面都已相當(dāng)成熟，并已建立起堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)。
2023-05-04 12:52:302012 
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
一、PCB制造基本工藝及目前的制造水平
PCB設(shè)計(jì)最好不要超越目前廠家批量生產(chǎn)時(shí)所能達(dá)到的技術(shù)水平，否則無法加工或成本過高。
1.1層壓多層板工藝
層壓多層板工藝是目前廣泛
2023-04-25 17:00:25
智能制造包括哪些方面 智能制造的本質(zhì)是指在制造過程、全生命周期的各個環(huán)節(jié)中綜合應(yīng)用各類技術(shù)，取代或者延伸制造過程中人的勞動、滿足制造需求。智能制造主要有以下幾個構(gòu)成要素。 （１）智能設(shè)計(jì) 智能制造
2023-04-24 10:56:226260 相星三角變壓器，初級側(cè)Y連接，次級側(cè)三角形連接，如下圖所示。極性標(biāo)記在每個相位上都標(biāo)明。繞組上的點(diǎn)表示在未接通的端子上同時(shí)為正的端子。 星側(cè)的相位標(biāo)記為A，B，C，三角洲側(cè)的相位標(biāo)記為a，b，c
2023-04-20 17:39:25
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
基于PCB的SMT工藝要素包括哪幾個方面呢？
2023-04-14 14:42:44
、短交期的打板體驗(yàn)，是全球30萬+客戶首選的 PCB 智造平臺。深耕 PCB 領(lǐng)域多年，華秋在多高層板制造方面已具備技術(shù)積累，經(jīng)過技術(shù)革新升級，公司支持多層板的打樣與批量生產(chǎn)，可以進(jìn)一步滿足客戶對于
2023-04-14 11:27:20
PCB設(shè)計(jì)主要需要注意以下幾方面： 1.制造工藝要求，板廠的制造能力，PCB板可制造性設(shè)計(jì) 2.電源的布局走線 3.傳輸線設(shè)計(jì) 4.EMC 5.時(shí)鐘設(shè)計(jì) PCB設(shè)計(jì)簡單來看就是將各種
2023-04-07 17:00:48
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
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