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首款基于FD-SOI的FPGA平臺已正式面世

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2019-06-11 16:47:333457

關于FD-SOI的性能分析和應用介紹

但是隨著物聯(lián)網、人工智能、智能駕駛這樣的新應用對半導體提出了全新的挑戰(zhàn),而FinFET工藝也遇到了瓶頸,尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來越高,已經遠遠不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612

三星發(fā)力!提振FD-SOI產業(yè)信心

三星發(fā)力大家都樂了!
2019-08-06 16:18:352763

云天勵飛、Blink現身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274

三星突破次世代存儲器將大規(guī)模生產28nm工藝EMRAM

三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺的嵌入式磁性隨機存儲器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

FPGA兼具高性能和低功耗,為何要選用28 nm FD-SOI

隨著摩爾定律的放緩以及登納德縮放比例定律和阿姆達爾定律接近瓶頸,異構和加速時代已降臨,FPGA廠商在近期的大動作也不斷,不斷刷新FPGA的容量。
2019-12-16 14:50:27620

萊迪思即將發(fā)布首款SOIFPGA產品

AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-12 22:57:17842

萊迪思發(fā)布首款SOIFPGA產品,AI芯片發(fā)展可期

AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-27 14:54:38739

格芯宣布已完成22FDX技術開發(fā) 將用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器

據外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發(fā),而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現多個流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現多個流片。
2020-03-03 15:10:302185

格芯22FDX技術將用于批量生產eMRAM磁阻非易失性存儲器芯片

據外媒報道稱,美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發(fā),而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工藝量產eMRAM,新型存儲機會來臨

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
2020-03-11 10:54:37713

新一代Certus-NX 低功耗FPGA 萊迪思強勢出擊

近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度,據了解
2020-07-03 08:57:36770

重定義FPGA 超低功耗 超小尺寸

萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應商
2020-07-03 14:05:432395

如何通過Soitec優(yōu)化襯底技術助力汽車產業(yè)實現智能創(chuàng)新

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-06 17:03:361984

FD-SOI應用 從5G、物聯(lián)網到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

萊迪思Certus-NX FPGA的性能及應用范圍分析

去年12月,我們推出了全新低功耗FPGA開發(fā)平臺Lattice Nexus?,這是業(yè)界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺。Nexus在各個設計層面(從軟件解決方案到架構
2020-07-10 10:03:00524

Latticetui推出Certus-NX低功耗FPGA技術平臺,性能最高提升70%

Lattice Nexus是業(yè)界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺,得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢,基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:42815

FPGA廣泛的應用領域帶來了哪些工藝上的優(yōu)勢?

ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術平臺上的第二款產品,它將為更廣泛的應用帶來 FD-SOI 工藝的優(yōu)勢。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13598

PCI Express通過結合Nexus FPGA 技術平臺與 LUT 實現以太網協(xié)議

Nexus 平臺的獨特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區(qū)別,能夠極大降低功耗。如圖一所示,Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時間極短,能夠讓系統(tǒng)快速啟動。該器件還擁有驗證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17763

新思科技攜手GF,以Fusion Compiler釋放GF平臺最佳PPA潛能

重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092050

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

萊迪思即將舉辦主題為《全新CertusPro-NX通用FPGA為網絡邊緣應用提供強大的系統(tǒng)帶寬和存儲功能》的免費網絡研

行業(yè)領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338

法國CEA-Leti正計劃新建一條工藝引導線

機構方面表示,新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換,還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器(envm)技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308

受益于物聯(lián)網的FD-SOI卷土重來

如今談起晶圓工藝,大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善階段的GAA,臺積電、三星、英特爾……無數廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙,不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:50250

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產業(yè)

(電子發(fā)燒友網原創(chuàng)報道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產業(yè)聯(lián)盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069

GlobalFoundries的22FDX?平臺:為AI時代而來

在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上,GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38794

IBS:為什么 FD SOI對于生成式AI時代中的邊緣端設備如此重要?

(電子發(fā)燒友網原創(chuàng))在2023年第八屆上海FD SOI論壇上,全球知名半導體產業(yè)研究機構IBS公司CEO Handel Jones先生,公布了對2030年前的全球半導體芯片市場的預測,同時,他也表示
2023-11-21 17:39:11805

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369

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