2022 年 4 月 21日,中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協(xié)議,四家公司計劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:483472 本文論述并比較目前移動平臺所采用的主要的多核處理技術,重點介紹多核處理技術與意法·愛立信未來產品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術之間的協(xié)同效應
2013-02-03 14:19:001879 意法半導體宣布,其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz,在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241298 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝,以滿足新一代聯(lián)網設備的超低功耗要求?!?2FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當,為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 半導體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發(fā)出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯(lián)網(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動,象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 三星半導體(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節(jié),包括將擴展其FD-SOI產能,以及提供現有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 Globalfoundries技術長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該公司的技術藍圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當14納米節(jié) 點,FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設計成本也低25%左右,并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 鰭式晶體管(FinFET)制程技術外,也投入全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)市場,并推出22納米及12納米FDX制程平臺,搶攻物聯(lián)網商機。
2016-11-17 14:23:22845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費領域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的,格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領先的存儲
2017-09-25 17:21:098151 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網時代的適應性有著越來越高的要求。此時,FD-SOI與RF-SOI技術的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 在美國的三星代工論壇上,Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯(lián)網測試芯片和開發(fā)板。
2019-06-05 16:59:011398 萊迪思半導體位居全球FPGA廠商第三,雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾(收購Altera)的營收有所差距,但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費類電子、工業(yè)等領域取得了成功。近年,其策略發(fā)生了重要的變化,推出了轉型之作。
2019-12-16 11:24:331893 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:415772 在工藝進程方面,i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝,該工藝的優(yōu)勢在于能夠在提升處理器主頻性能的同時,盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331663 1. 推進10 納米FD-SOI 先進制程研發(fā), CEA-Leti 工藝引導線將于9 月開工 ? 據外媒報道,歐洲三大微電子研究機構之一的法國CEA-Leti正計劃新建一條工藝引導線,基于全耗盡
2023-07-20 10:54:19428 和FD-SOI,其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術,雖然很少被提及,但在很多設備上都有重要的應用。 ? 射頻前端底層技術 ? 射頻前端的重要性不言而喻,是任何通信系統(tǒng)核心中的核心,RF-SOI正是用于各種射頻器件,目前已經是各類射頻應用里主流的襯底,如射頻開關、LNA、調諧器
2024-02-19 00:59:002466 FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術是一種新的工藝技術,有望成為其30納米以下的技術節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
適應相控陣架構、直接射頻采樣、波束成形和 5G 無線電等應用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝設計了一款名為 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
USB 芯片和軟件廠商飛特蒂亞(FTDI)公司發(fā)布一款靈活而強大的開發(fā)平臺 Morph-IC-II,可加速基于FPGA的應用與制作,并簡化先進邏輯電路設計中整合高速480Mbit/s USB通訊作業(yè)
2019-07-03 08:29:05
量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年,三星成功生產了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產首款商用eMRAM。 據三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術制作
2023-03-21 15:03:00
Qorvo與上海移遠通信推出全球首款采用Phase 6解決方案的M2M/IoT模組
2021-03-11 07:14:58
`炎熱的夏季已悄然來臨,各種海邊游玩,漂流,游泳等水上運動與這個季節(jié)搭配的剛剛好,安全防范自主意識要增強,國內首款自救手環(huán)讓你在游泳漂流等各項水上運動放手去動,它是一種戶外緊急救生產品,主要是便于
2019-07-03 18:30:04
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國科學院微電子研究所、中國電子科技集團公司第58所、航天時代集團第七七一研究所、中國科學院半導體所等。 中國科學院微電子研究所
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優(yōu)勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用?
2021-06-26 07:14:03
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:1610 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃,打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201 日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術,這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 日前,依法愛立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機平臺,該平臺整合了全套無線功能,并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad應用處理器。
2013-01-29 10:48:051119 意法愛立信發(fā)布了首個單射頻方案實現載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺Thor M7450,以及采用了FD-SOI技術的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:51864 意法半導體(ST)宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術獎。根據客戶的節(jié)能與性能權衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設備可更快散熱,并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息,上海復旦微電子已經下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力,格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導體供應商意法半導體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術平臺,以支持用于工業(yè)及消費
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導體(ST)的大單進補,在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點進展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示,與傳統(tǒng)的塊狀硅技術相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705 物聯(lián)網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術,除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程,以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:002394 加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產。作為業(yè)內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產),三星代工廠(28納米工藝投產中,18納米工藝計劃投產),以及格芯代工廠(22納米工藝投產中,12納米計劃投產)。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 今天,Globalfoundries(簡稱GF)宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841 日前,格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā),轉而專注現有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 能在全球范圍內收獲了超過20億美元的收益,并在超過50項客戶設計中得到采用。本次兩位中國客戶的成功流片再次印證了22FDX技術在實際應用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區(qū)總經理白農先生表示:“22FDX 是業(yè)內首個 22nm FD-SOI 平臺,作為業(yè)界領先的低功耗芯片平臺,它在全
2018-11-05 16:31:02250 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網和汽車應用等領域的需求,確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注,Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 關鍵詞:自適應體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設計,推動單芯片集成界限 格芯(GF)和領先的半導體IP提供商Dolphin Integration今日宣布,雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01323 三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 據韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:27886 據報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:512985 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結構;而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構,取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204247 日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現有的密切關系上,此份協(xié)議即刻生效,以確保未來數年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:333457 但是隨著物聯(lián)網、人工智能、智能駕駛這樣的新應用對半導體提出了全新的挑戰(zhàn),而FinFET工藝也遇到了瓶頸,尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來越高,已經遠遠不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 三星發(fā)力大家都樂了!
2019-08-06 16:18:352763 事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274 三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 隨著摩爾定律的放緩以及登納德縮放比例定律和阿姆達爾定律接近瓶頸,異構和加速時代已降臨,FPGA廠商在近期的大動作也不斷,不斷刷新FPGA的容量。
2019-12-16 14:50:27620 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-27 14:54:38739 據外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發(fā),而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現多個流片。
2020-03-03 15:10:302185 據外媒報道稱,美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發(fā),而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490 近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
2020-03-11 10:54:37713 近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度,據了解
2020-07-03 08:57:36770 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應商
2020-07-03 14:05:432395 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-06 17:03:361984 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335 去年12月,我們推出了全新低功耗FPGA開發(fā)平臺Lattice Nexus?,這是業(yè)界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺。Nexus在各個設計層面(從軟件解決方案到架構
2020-07-10 10:03:00524 Lattice Nexus是業(yè)界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺,得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢,基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:42815 ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術平臺上的第二款產品,它將為更廣泛的應用帶來 FD-SOI 工藝的優(yōu)勢。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13598 Nexus 平臺的獨特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區(qū)別,能夠極大降低功耗。如圖一所示,Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時間極短,能夠讓系統(tǒng)快速啟動。該器件還擁有驗證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17763 重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI) 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092050 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 行業(yè)領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338 機構方面表示,新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換,還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器(envm)技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 如今談起晶圓工藝,大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善階段的GAA,臺積電、三星、英特爾……無數廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙,不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:50250 (電子發(fā)燒友網原創(chuàng)報道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產業(yè)聯(lián)盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069 在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上,GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38794 (電子發(fā)燒友網原創(chuàng))在2023年第八屆上海FD SOI論壇上,全球知名半導體產業(yè)研究機構IBS公司CEO Handel Jones先生,公布了對2030年前的全球半導體芯片市場的預測,同時,他也表示
2023-11-21 17:39:11805 谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369
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