全球知名的電子元器件授權(quán)代理商富昌電子（Future Electronics）為測試設(shè)備應(yīng)用推介來自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物鉭電容，旨在滿足測試設(shè)備應(yīng)用對高性能元件的需求。
2024-03-18 18:14:10
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英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 
日前，Vishay 宣布，推出適于 IrDA 應(yīng)用的升級版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
蘋果新款iPad預(yù)計將在3月底或4月發(fā)布，具體時間還需等待蘋果官方確認。據(jù)多方消息透露，新款iPad將搭載最新的M3芯片，帶來更加強勁的性能和能效表現(xiàn)。同時，新款iPad還可能配備OLED顯示屏等先進技術(shù)，為用戶提供更加出色的視覺體驗。
2024-03-13 17:36:04318 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 搭載M3芯片的新款MacBook Air在北京時間2024年3月4日晚間正式發(fā)布。這次發(fā)布的新款MacBook Air在硬件配置上實現(xiàn)了全面升級，不僅搭載了蘋果自家研發(fā)的M3芯片，更在續(xù)航、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)等方面進行了優(yōu)化。
2024-03-11 17:23:08526 科技巨頭蘋果公司再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，發(fā)布了搭載最新M3芯片的新款13英寸和15英寸MacBook Air筆記本電腦。新款機型在硬件配置上實現(xiàn)了全面升級，配備了更清晰的1080p網(wǎng)絡(luò)攝像頭，為用戶帶來更高質(zhì)量的視頻會議體驗；同時支持更快的Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)，讓在線辦公和娛樂更加流暢。
2024-03-11 17:19:19416 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設(shè)計。這一系列熱敏電阻在25°C時阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
新款MacBook Air系列筆記本電腦搭載了M3芯片，這一舉措進一步提升了該系列機型的性能和續(xù)航能力，為用戶帶來了全新的使用體驗。
2024-03-07 17:18:39436 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 器件采用垂直腔面發(fā)射激光器和智能雙 I2C 從機地址，適用于真無線立體聲（ TWS ） 耳機、虛擬現(xiàn)實 / 增強現(xiàn)實（ VR / AR ） 頭盔等各種電池供電消費類電子應(yīng)用 ? 美國 賓夕法尼亞
2024-01-26 15:45:36925 日前，Vishay 推出適合遙控、接近探測和光幕應(yīng)用的升級版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列紅外 ( IR ) 接收器模塊。增強型解決方案采用 Minicast 封裝
2024-01-19 16:41:23532 三星電子將于美西時間17日上午10點在美國加州圣何塞舉行全球新品發(fā)布會“三星Galaxy Unpacked 2024”。據(jù)傳聞，此次發(fā)布會將推出備受期待的新款智能手機——Galaxy S24系列。
2024-01-17 15:28:191295 全球領(lǐng)先的電子元器件制造商村田（Murata）近日發(fā)布了其全新的6軸MEMS慣性傳感器SCH16T-K01。這款產(chǎn)品是村田下一代6軸SCH16T系列的首款產(chǎn)品，未來該系列還將推出更多創(chuàng)新版本。
2024-01-17 14:27:50360 MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是電路設(shè)計中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點
2024-01-09 10:22:43112 
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM32產(chǎn)品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產(chǎn)替代和新智能應(yīng)用市場的開拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56358 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:29
0 磁性器件VPT系列和VPE系列有什么區(qū)別？ 磁性器件是電子器件中的重要組成部分，常用于變壓器、電感器、磁芯等設(shè)備中，能夠?qū)崿F(xiàn)電能的傳輸、轉(zhuǎn)換和存儲。VPT系列和VPE系列是兩個不同類型的磁性器件系列
2023-11-10 14:29:07267 這次發(fā)布會持續(xù)了大約30分鐘，蘋果高層在大部分時間里討論了M3系列芯片的性能優(yōu)勢。新款的14英寸和16英寸MacBook Pro以及24英寸iMac似乎都成為了展示M3系列芯片的亮點。
2023-10-31 17:27:47798 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 想入手一款示波器使用頻率很少 ，一個月可嫩只用一兩次。
但是還是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器覺得可以用。
但是看了一些新款的感覺功能更多 有必要選擇新款的嗎 ？
沒用過所有需要請教一下
看了ds5000系列現(xiàn)在用過時嗎
組要用于看看一些簡單的模擬電路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
E5071C特性:新款 20 GHz 選件可將 E5071C ENA 系列網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻率范圍擴展至 20 GHz。新款 20 GHz 選件支持雙端口（選件 2K5）和四端口（選件
2023-09-18 15:57:05
降低MOSFET 1/f噪聲的三種辦法是什么？? MOSFET是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，MOSFET存在著一種非常特殊的噪聲，即1/f噪聲。這種噪聲影響了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 、SiC951?和?SiC967采用 10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm 封裝，占位面積和高度均小于市場上此類器件，輸入電壓范圍 4.5 V 至 60 V。? ? ? ? ? 日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小 69 %，每款模塊集成兩個高性能 MOSFET，一個電感器
2023-09-15 10:41:09545 
最新的iPhone系列手機，2023年蘋果手機最新款iPhone15系列手機。根據(jù)最新消息，iPhone 15的價格和規(guī)格已經(jīng)曝光，引起了消費者的熱議和關(guān)注。 根據(jù)蘋果公司的慣例，新款iPhone的預(yù)訂將在幾天后的9月15日開始，一周后的9月22日發(fā)布。 應(yīng)該如何選擇iPhone 15系列呢？
2023-09-05 09:32:253182 model 3新款什么時候出 今日特斯拉發(fā)布新款Model 3煥新版25.99萬 很多人都在關(guān)注model 3新款什么時候出？心心念念的Model 3煥新版今天終于來了。 今日特斯拉發(fā)布新款
2023-09-01 17:06:47808 
據(jù)消息透露，9月13日凌晨1點，蘋果將舉行2023年秋季發(fā)布會，正式推出新款iPhone 15系列。據(jù)悉，這次新品仍然有四款機型， 分別是iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max。
2023-09-01 11:44:13808 9月1日，特斯拉中國宣布，新款Model 3上市，售價259900元起
2023-09-01 11:28:26846 2023年8月，品英Pickering——用于電子測試和驗證的模塊化信號開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于近日發(fā)布新款基于PXI/PXIe的微波開關(guān)產(chǎn)品（40/42-890系列），為PXI產(chǎn)品家族
2023-08-31 14:14:07351 2023 年8 月18 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對汽車應(yīng)用設(shè)計的產(chǎn)品
2023-08-18 14:56:07372 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
2023-08-11 17:00:54226 對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152047 ，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301065 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS?）整流器
2023-07-07 15:24:35641 
Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面貼裝溝槽式 MOS 勢壘肖特基（TMBS）整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A 封裝。VxNL63
2023-07-07 10:24:59653 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
光亮度檢測和防起霧監(jiān)測；在ADAS的應(yīng)用場景為疲勞駕駛、乘員監(jiān)控以及激光雷達Lidar使用；在空氣質(zhì)量檢測的應(yīng)用為PM2.5、紫外線殺菌、溫濕度控制等。 在吉利2023智能汽車技術(shù)論壇上，Vishay 光電產(chǎn)品資深市場部技術(shù)支持經(jīng)理陸驍表示，未來將有更多
2023-07-06 17:14:10483 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個電阻-溫度表。此免費工具可下載到任何一臺
2023-07-05 20:05:09295 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 在設(shè)計基于 MOSFET 的電路時，您可能想知道打開 MOSFET
的正確方法是什么？或者簡單地說，應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開？
2023-06-28 18:09:331237 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復(fù)整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過 AEC-Q200 認證 節(jié)省電路板空間的同時 減少元器件數(shù)量 降低加工成本 Vishay? 推出加強版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻器
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay?Techno CDMA 系列電阻 節(jié)省空間型器件采用小型 2512 封裝 工作電壓達 1415 V 適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用 Vishay? 推出新系列小型 2512 封裝汽車級厚膜片
2023-06-21 07:40:00525 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
Vishay Polytech T51 系列電容器? 器件符合 AEC-Q200 認證標準 具有 D 和 V 兩種小型封裝版本 ESR 低至 40 mΩ 可在 +125?C 高溫下工作 Vishay
2023-06-21 06:10:00529 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
Vishay 的 WSL 系列采樣電阻采用全合金設(shè)計，功率可達 15W，同時具有低于 20ppm 的溫漂系數(shù)，以及低于 3 微伏每攝氏度的熱電動勢系數(shù)，此外我們還提供四端子設(shè)計以幫助客戶提高電流檢測精度和長期可靠性。
2023-06-14 14:39:01361 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅(qū)動器
2023-06-08 19:55:02374 
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。
2023-05-08 09:43:17304 
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具
2023-05-04 09:43:01735 
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31600 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源，并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-06 10:06:381381 SMD SLR系列表面貼裝PTC器件
2023-03-28 12:55:58
SMD SLR系列表面貼裝PTC器件
2023-03-28 12:55:58
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RLD 30V UF系列PTC器件
2023-03-28 12:55:54
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