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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

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為什么氫氧化鋰價(jià)格后期走勢(shì)變化這么大

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高鎳為何選擇氫氧化鋰,誰(shuí)是需求主體?

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2021-01-04 14:50:541965

2020年度,天宜鋰業(yè)共生產(chǎn)氫氧化鋰5000多噸

由于現(xiàn)有氫氧化鋰產(chǎn)能規(guī)劃仍不能滿足下游需求,天宜鋰業(yè)表示正在盡快擴(kuò)大產(chǎn)能,其二期項(xiàng)目已規(guī)劃2.5萬噸電池級(jí)氫氧化鋰,并已于去年12月正式開工建設(shè),春節(jié)前已經(jīng)完成主要成套設(shè)備的招投標(biāo)工作,計(jì)劃于2021年年底建成。
2021-03-08 10:52:472974

電池材料碳酸鋰與氫氧化鋰的區(qū)別

碳酸鋰和氫氧化鋰都是電池的原材料,市場(chǎng)上,碳酸鋰的價(jià)格一直都比氫氧化鋰更低一些。這兩種材料有何區(qū)別?
2021-03-18 00:26:4413

如何解決氫氧化鈉罐體腐蝕問題

氫氧化鈉,無機(jī)化合物,化學(xué)式NaOH,也稱苛性鈉、燒堿、固堿、火堿、苛性蘇打,可作酸中和劑、 配合掩蔽劑、沉淀劑、沉淀掩蔽劑、顯色劑、皂化劑、去皮劑、洗滌劑等,用途非常廣泛。氫氧化鈉具有強(qiáng)堿
2021-05-28 15:59:411191

醇類添加劑對(duì)KOH溶液蝕刻特性的影響

我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對(duì)氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低,通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性,并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

。在堿性溶液中,TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性,并且熱氧化物被用作掩模層時(shí),使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率,氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056

化學(xué)添加劑對(duì)KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響

介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言,陽(yáng)極氧化需要價(jià)帶空穴。因此,人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化學(xué)蝕刻包括兩個(gè)主要步驟:氫氧化物催化
2021-12-31 15:23:35422

控制堿性蝕刻液的表面張力

隨機(jī)金字塔覆蓋的紋理。蝕刻速率和紋理化工藝取決于鍍液溫度、氫氧化鉀濃度、硅濃度和異丙醇濃度等。在此過程中,由于異丙醇的沸點(diǎn)較低(82℃),鍍液的組成發(fā)生了變化。在這個(gè)過程中它很容易蒸發(fā),必須定期重做。為了簡(jiǎn)化添加劑和獲得更高的初
2022-01-04 17:13:20764

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152

晶體硅襯底的表面織構(gòu)和光學(xué)特性的說明

引言 本文介紹了表面紋理對(duì)硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。(001)晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測(cè)量法
2022-01-11 14:41:581050

對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力,改變了硅的蝕刻各向異性,顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率,并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156

溫度對(duì)KOH溶液中多晶硅電化學(xué)紋理化的影響

引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅,氫氧化鉀溶液被廣泛使用,因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理,從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對(duì)于多晶硅晶片,表面紋理化通常通過
2022-01-13 14:47:19624

關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究

鎵的均方粒根粗糙度在16nm之間,在尖晶石基質(zhì)上生長(zhǎng)的氮化鎵的均方根粒度在11和0.3nm之間。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于氫氧化鉀溶液可以蝕刻氮化鋁和氮化銦錫,但之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量氮化鎵的酸或堿溶液.在這篇文章中,我們使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:05942

通過簡(jiǎn)單的濕化學(xué)法合成ZnO結(jié)構(gòu)的形態(tài)控制

。 本文講述了一種合成氧化鋅顆粒的濕式化學(xué)方法。通過利用硝酸鋅和各種沉淀劑,如氫氧化鉀、氫氧化鈉和(ch2)6n4,我們得到了不同形態(tài)的顆粒。此外,添加一種結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑會(huì)導(dǎo)致氧化鋅顆粒尺寸(對(duì)于氫氧化鉀氫氧化鈉)的減少,并在
2022-01-21 11:42:49797

關(guān)于氮化鎵的深紫外增強(qiáng)濕法化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

本文探討了紫外輻照對(duì)生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實(shí)驗(yàn)過程中,我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

索引術(shù)語(yǔ):氮化鎵,蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:421479

HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對(duì)硅表面質(zhì)量的影響

下的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計(jì)的劃痕上進(jìn)行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕,從而提高其損傷閾值,達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對(duì)表面粗糙度和外觀的影響。我們表明,在
2022-02-24 16:26:032429

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

,在實(shí)現(xiàn)晶片通孔互聯(lián)的情況下,圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風(fēng)險(xiǎn),光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此,了解最常見的各向異性蝕刻劑(氫氧化鉀)的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過蝕刻
2022-03-07 15:26:14372

使用酸性溶液對(duì)硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻

在本文中,我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物,獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成,隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理,雖然沒有完全理解,將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460

一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝

高度光滑表面光潔度的45個(gè)反射鏡。在這項(xiàng)工作中,我們使用了一種CMOS兼容的各向異性蝕刻劑,含有四甲基氫氧化銨(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非離子表面活性劑(NC-200),含有100
2022-03-14 10:51:42581

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。
2022-03-17 15:42:561112

硅在氫氧化鉀溶液中的刻蝕機(jī)理

本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓,構(gòu)建了氫氧化鉀溶液中n-St的定量能帶圖,建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖,進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來驗(yàn)證這些能帶圖,硅在陽(yáng)極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119

丁基醇濃度對(duì)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇,詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)(100)和(110)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響,并給出了異丙醇對(duì)氫氧化鉀溶液蝕刻結(jié)果,為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理,我們還對(duì)溶液的表面張力進(jìn)行了測(cè)量。
2022-03-18 13:53:01288

如何利用原子力顯微鏡測(cè)量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法,應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜,通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鮮硅。因此,可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻,通過原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度,從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義,這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11529

用NaOH和KOH溶液蝕刻晶片的比較研究

在本研究中,我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少子壽命的影響,在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液,表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率
2022-03-21 13:16:47573

硅在KOH溶液中陽(yáng)極氧化的各向異性

通過電位學(xué)和電位步測(cè)量,研究了氫氧化鉀溶液中(100)和(111)電極的電化學(xué)氧化和鈍化過程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異,對(duì)n型和p型電極的結(jié)果進(jìn)行比較,得出堿性溶液中硅的電化學(xué)氧化必須
2022-03-22 15:36:40550

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn),測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503

氧化氫在SC1清潔方案中的作用說明

效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進(jìn)顆粒去除;從而松動(dòng)顆粒,使機(jī)械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。 本文將討論一個(gè)詳細(xì)的SC-I清洗的化學(xué)模型。了解導(dǎo)致氧化物同時(shí)生長(zhǎng)和蝕刻
2022-03-25 17:02:502376

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻,蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%,1010
2022-04-14 13:57:511214

堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響

我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響,在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液,表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率來表征,而電學(xué)
2022-04-24 14:59:54441

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656

TMAH溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究

本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此,詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻;我們發(fā)現(xiàn)m-GaN平面比包括a-GaN平面在內(nèi)的其他取向
2022-05-05 16:38:031394

堿性KOH蝕刻特性的詳細(xì)說明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419

車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)

我們介紹了在氫氧化鉀溶液蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明,當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí),存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng),這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報(bào)道相反,從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56294

蝕刻溶液的組成和溫度對(duì)腐蝕速率的影響

我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案,為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160

TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響,通過對(duì)比試驗(yàn),評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理,各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:451683

硅KOH蝕刻:凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測(cè)量它們的蝕刻速率。然后,基于測(cè)量數(shù)據(jù),檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113

鎳氫電池工作原理 鎳氫電池的主要應(yīng)用特性

鎳氫電池是一種堿性電池,其負(fù)極采用由儲(chǔ)氫材料作為活性物質(zhì)的氫化物電極,正極采用氫氧化鎳電極(簡(jiǎn)稱鎳電極),電解質(zhì)為氫氧化鉀溶液。鎳氫電池充電時(shí),氫氧化鉀電解液中的氫離子會(huì)被釋放出來,由這些化合物將它吸收,避免形成氫氣,以保持電池內(nèi)部的壓力和體積。
2022-09-07 14:51:0210115

天華超凈:預(yù)計(jì)2023年電池級(jí)氫氧化鋰產(chǎn)量將高于10萬噸

近日,天華超凈在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,根據(jù)公司的經(jīng)營(yíng)計(jì)劃,2023 年天宜鋰業(yè)一期和二期生產(chǎn)線均達(dá)到滿產(chǎn),其中一期項(xiàng)目包括技改擴(kuò)產(chǎn),合計(jì)生產(chǎn) 5 萬噸電池級(jí)氫氧化鋰。偉能鋰業(yè) 2.5 萬噸電池
2022-11-07 11:28:051669

燃料電池分類及其特點(diǎn)

堿性燃料電池(alkaline fuel cell,簡(jiǎn)稱AFC)采用強(qiáng)堿(如氫氧化鉀、氫氧化鈉)為電解質(zhì),氫氣為燃料,純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-28 16:26:344615

一文淺析燃料電池的分類及其特點(diǎn)

堿性燃料電池(alkaline fuel cell,簡(jiǎn)稱AFC)采用強(qiáng)堿(如氫氧化鉀氫氧化鈉)為電解質(zhì),氫氣為燃料,純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-29 10:37:343937

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597

不同行業(yè)對(duì)氫氧化鋁阻燃劑都有些什么要求?

氫氧化鋁中的結(jié)晶水含量,高達(dá)34.46%,當(dāng)周圍溫度上升到300℃以上,這些水分全部析出。由于水的比熱大,當(dāng)其化為水蒸氣時(shí)需從周圍吸取大量熱能。氫氧化鎂也含結(jié)晶水,但含水率僅30.6%,不如氫氧化鋁。
2023-07-20 16:31:12316

在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

由于其獨(dú)特的材料特性,III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷,并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166

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