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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>GlobalFoundries開始安裝20nm TSV設(shè)備

GlobalFoundries開始安裝20nm TSV設(shè)備

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2013-01-22 08:36:341317

蘋果將于2014年采用臺積電20nm工藝芯片?

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2013-01-23 08:57:45699

半導(dǎo)體廠商關(guān)注,TSV應(yīng)用爆發(fā)一觸即發(fā)

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2013-01-27 10:25:003306

賽靈思推出多項20nm第一 繼續(xù)保持領(lǐng)先一代優(yōu)勢

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2013-01-31 15:52:16893

三星:也來看看我們的14nm晶圓吧

三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù),而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電,三星也使用了14+20nm混合工藝,大致來說就是晶體管是14nm的,其它各部分則都是20nm的。
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臺積電本月將安裝20nm制造設(shè)備,2014年量產(chǎn)

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Altera公司今天宣布,公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件,在收發(fā)器技術(shù)上樹立了另一關(guān)鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術(shù)的20 nm器件,該成果證實了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:431249

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
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Xilinx 推出擁有ASIC級架構(gòu)和ASIC增強(qiáng)型設(shè)計方案的20nm All Programmable UltraScale產(chǎn)品系列

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蘋果A8處理器最新消息:采用TSMC 20nm制程工藝

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高通驍龍810搶先看:64位八核,20nm工藝

 蘋果A7處理器推出后,高通也迅速推出了64位移動處理器驍龍410,由于該處理器定位中低端,因此,它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對此,外媒傳來消息稱,高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810,其將采用20nm工藝制造,GPU也升級為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:182462

16納米來了!臺積電試產(chǎn)16nm FinFET Plus

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2022-06-16 14:02:432748

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2012-11-19 09:27:483587

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

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是否可以使用命令根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv將構(gòu)建的鏡像安裝到emmc中?

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2012-10-16 11:29:101077

深入剖析FPGA 20nm工藝 Altera創(chuàng)新發(fā)展之道

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示: 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉(Altera)公司首次公開的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開調(diào)查以及深入的分析;深入闡述了FPGA邁向20nm工藝,Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581992

賽靈思(Xilinx)解讀20nm的價值:繼續(xù)領(lǐng)先一代

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問題,有很多的討論。在過去的一年中,20nm節(jié)點進(jìn)入到這個辯論的前沿和中心。無論說辭如何,包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196

20納米(nm)FPGA :如箭在弦

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 :臺積電28nm良率大幅提升的利好還沒被市場徹底消化, FPGA業(yè)界雙雄 已爭先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略,在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升,蠶食ASIC之勢將愈演愈烈
2012-11-30 11:51:231865

NVIDIA選中臺積電20nm 將制造“麥克斯韋”

據(jù)《韓國日報》報道,NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺積電的20nm,雙方的長期合作將繼續(xù)深入下去,而這也意味著,NVIDIA代號麥克斯韋(Maxwell)的下代GPU仍將出自臺積電之手。
2012-12-07 17:00:14839

深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)

20nm節(jié)點在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn),為大家解惑。
2012-12-14 11:37:542656

搶占20nm制高點,Xilinx下一代產(chǎn)品優(yōu)勢全解析

Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢,究竟在20 nm制程上,Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競爭對手一代的優(yōu)勢?詳見本文
2013-01-10 09:33:43961

TSMC將為蘋果提供AP/GPU集成的解決方案,并采用20nm SoC工藝

臺灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案,并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171257

Cadence和GLOBALFOUNDRIES合作改進(jìn)20及14納米節(jié)點DFM簽收

全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)近日宣布,GLOBALFOUNDRIES已攜手Cadence?,為其20和14納米制程提供模式分類數(shù)據(jù)
2013-05-13 10:20:02768

IMEC開發(fā)新型電介質(zhì),推動20nm NAND Flash進(jìn)一步微縮

比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)(HfAlO/Al2O3/HfAlO)堆迭,這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中,并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010

賽靈思發(fā)布UltraScale架構(gòu),20nm開始投片

賽靈思公司今天宣布,延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新,在20nm工藝節(jié)點再次推出兩大行業(yè)第一:投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件,也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807

Xilinx業(yè)界首款20nm All Programmable產(chǎn)品開始發(fā)貨

(TWSE: 2330, NYSE: TSM)生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首款20nm產(chǎn)品,同時也是可編程邏輯器件(PLD)產(chǎn)業(yè)首款20nm All Programmable 產(chǎn)品。賽靈思UltraScale?器件采用
2013-11-12 11:24:051214

20/16nm將成主流 先進(jìn)工藝怎適應(yīng)?

017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流,這對我們設(shè)計業(yè)、制造業(yè)是一個很大的啟示:我們怎么樣適應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925

Cadence與GLOBALFOUNDRIES宣布最新合作成果

益華電腦宣布,晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實體驗證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號設(shè)計實體signoff。同時
2014-03-25 09:33:50862

Xilinx宣布率先量產(chǎn)20nm FPGA器件

2014年12月22日,中國北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967

Xilinx UltraScale 20nm器件助力打造JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測試平臺

All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其Virtex? UltraScale? 20nm FPGA已應(yīng)用于JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測試平臺。
2015-04-09 11:13:25857

Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級55nm嵌入式閃存技術(shù)獲認(rèn)證

Storage Technology(SST)與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型(LPx)/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲器(NVM)產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始投放市場。
2015-05-18 14:48:301429

JDSU 400G 以太網(wǎng)測試平臺基于Xilinx 20nm UltraScale 器件

幾個星期之前在2015OFC展上,JDSU 推出了基于20nm UltraScale全可編程器件的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)ONT 400G以太網(wǎng)測試平臺。新的測試平臺采用了JDSU成功的ONT測試平臺結(jié)構(gòu),其率先
2017-02-09 04:56:33245

使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑

在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中,功耗成為需要考慮的第一設(shè)計要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設(shè)計的挑戰(zhàn),本文描述了在未來的系統(tǒng)設(shè)計中,使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058

解密業(yè)界首款16nm產(chǎn)品核心技術(shù)

以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ),賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC,憑借新型存儲器、3D-on-3D 和多處理SoC(MPSoC)技術(shù),再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價值優(yōu)勢。
2017-02-11 16:08:11660

16nm/10nm/7nm處理器差距有多大?為你解答

我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實這些數(shù)值所代表的都是一個東西,那就是處理器的蝕刻尺寸,簡單的講,就是我們能夠把一個單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962

GlobalFoundries 22nm工藝中國上海復(fù)旦拿下第一單

AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息,上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912

軌到軌輸入/輸出20 MHz的運算放大器TSV991/TSV992/TSV994

The TSV99x and TSV99xA family of single, dual, and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812

通用輸入/輸出軌到軌低功耗操作放大器TSV321/TSV358/TSV324/TSV321A/TSV358A/TSV324A

The TSV358, TSV358A, TSV324, and TSV324A (dual and quad) devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306

高功因數(shù)(1.15兆赫為45微米)cmos運算放大器TSV521/TSV522/TSV524/TSV521A/TSV522A/TSV524A

The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585

軌到軌輸入/輸出,29μ,420 kHz的CMOS運算放大器TSV62x,TSV62xA

The TSV622, TSV622A, TSV623, TSV623A, TSV624, TSV624A, TSV625, and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254

軌到軌輸入/輸出29μ420 kHz的CMOS運算放大器TSV620,TSV620A,TSV621,TSV621A

The TSV620, TSV620A, TSV621, and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation
2017-09-05 11:01:536

20nm技術(shù)的發(fā)展應(yīng)景

  20nm會延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢,但是要付出成本代價。2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展,進(jìn)一步提高了集成度,但是也增大了成本,部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題,在一個封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高,這一節(jié)點也增加了體系結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。目前為止,它也是功耗管理最復(fù)雜的節(jié)點。
2017-09-15 09:54:3010

賽靈思業(yè)界20nm技術(shù)首次投片標(biāo)志著UltraScale架構(gòu)時代來臨

在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上,賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外,該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706

南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場

臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn),完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過個人電腦(PC)客戶認(rèn)證,本月開始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個人電腦市場,明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場,南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734

GlobalFoundries也缺錢了?經(jīng)濟(jì)因素擱置7nm LP項目

在制程推進(jìn)到10nm以內(nèi)后,研發(fā)難度也越來越大,這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前,得益于三星背后的支持,GlobalFoundries(格羅方德,格芯)的7nm
2018-08-29 08:31:00773

GlobalFoundries推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

邏輯制程 采用ARM下一代存儲器和邏輯IP,適合低電壓應(yīng)用 “55nm LPe 1V”平臺專為實現(xiàn)超低功耗,更低成本及更優(yōu)設(shè)計靈活性而優(yōu)化 GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的 55
2018-09-25 09:24:02279

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8個電源開啟順序的確定

ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個電源的時序或按照預(yù)定順序開啟各電源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx投片首個ASIC級可編程架構(gòu)的行業(yè)首款20nm器件

賽靈思UltraScale架構(gòu):行業(yè)第一個ASIC級可編程架構(gòu),可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) (planar)工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展,從單芯片(monolithic)到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801

Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現(xiàn)多個流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現(xiàn)多個流片。
2020-03-03 15:10:302184

魏少軍:20nm以下制程為半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)帶來根本性的改變

20nm以下制程,該公司也將沿用此一發(fā)展策略,持續(xù)加強(qiáng)與IC設(shè)計公司合作,進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風(fēng)險。
2020-09-08 14:11:272024

華為計劃在國內(nèi)建設(shè)45nm制程工藝起步的芯片工廠

 根據(jù)報道,華為將在國內(nèi)建設(shè)一家45nm制程工藝起步的芯片工廠,計劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm的芯片,并在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:302770

SK海力士已開始安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146

三星將在3nm時代進(jìn)一步拉近自己與臺積電的芯片代工技術(shù)差距

晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來,基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時,平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此,英特爾在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:242074

臺積電3nm的晶圓價格高達(dá)20,000美元

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,臺積電的每片晶圓銷售價格從亞10nm工藝節(jié)點開始呈指數(shù)級增長,其中3nm的晶圓價格高達(dá)20,000美元。
2022-11-23 11:35:081699

TSV關(guān)鍵工藝設(shè)備及特點

和關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)上 , 對其中深孔刻蝕、氣相沉積、通孔填充、 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等幾種關(guān)鍵工藝設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對在確保滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下不同設(shè)備的選型應(yīng)用及對設(shè)備安裝的廠 務(wù)需求提出了相關(guān)建議,同時對 TSV 設(shè)備做出國產(chǎn)化展望。
2023-02-17 10:23:531010

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544128

什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36470

3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造

3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造
2023-11-30 15:27:28212

泛林集團(tuán)獨家向三星等原廠供應(yīng)HBM用TSV設(shè)備

三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備,深度蝕刻到晶片內(nèi)部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331

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